[發(fā)明專利]一種脫除氣冷堆中放射性碘的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310326820.5
• 申請日: 2013-07-31
• 公開（公告）號: CN104338510A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 賀德華;褚泰偉;房超;劉會敏;程慶輝;楊維維;李澤軍;朱秋鋒;李宇明;吳昊
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學(xué);北京大學(xué)
• 主分類號: B01J20/16
• 分類號: B01J20/16;B01J20/30;B01D53/02
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1.一種在高溫下脫除氣冷堆中放射性碘的方法，其特征在于：所述方法采用載銀吸附劑，它是以銀為吸附組分、分子篩為載體，采用浸漬、高溫?zé)崽幚淼姆椒ㄖ苽涞玫降摹?/p>

2.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述載銀吸附劑采用AgNO₃作為銀的前驅(qū)體，以分子篩為載體，采用浸漬、高溫?zé)崽幚淼姆椒ㄖ苽涞玫剑渲苽溥^程依次為：

(1)所述分子篩為結(jié)晶性硅酸鋁，如13X分子篩、5A分子篩、Y型分子篩、β型分子篩；

(2)采用已有的水溶液浸漬的方法，將分子篩浸漬于AgNO₃水溶液中，加熱蒸干水分后得到載銀分子篩前驅(qū)體；

(3)采用高溫?zé)崽幚淼姆椒ɑ罨鲜龅妮d銀分子篩前驅(qū)體，得到載銀分子篩吸附劑。

3.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述高溫?zé)崽幚矸椒ㄊ菍⑤d銀分子篩前驅(qū)體在450～650℃范圍內(nèi)在空氣中加熱處理，并且采用程序升溫的方法從室溫開始升溫，所述的程序升溫速率為2℃/min。

4.按照權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述高溫?zé)崽幚頃r間為2～20小時。

5.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在高溫下脫除，是指所述的載銀吸附劑對氣體中放射性碘的脫除是在350～650℃下進(jìn)行的。

6.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述載銀吸附劑用于高溫氣冷核反應(yīng)堆中放射性碘的脫除。

7.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述放射性碘的化學(xué)形態(tài)，包括單質(zhì)碘與甲基碘(CH₃I)。

8.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述放射性碘是碘-125、碘-129、碘-131。

9.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述含有放射性碘的氣體是氦氣或氮氣或氬氣。