[發明專利]低噪聲放大器和芯片有效
| 申請號: | 201310326713.2 | 申請日: | 2013-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN104348430A | 公開(公告)日: | 2015-02-11 |
| 發明(設計)人: | 陶晶晶;張旭;劉瑞金 | 申請(專利權)人: | 上海海爾集成電路有限公司 |
| 主分類號: | H03F3/45 | 分類號: | H03F3/45 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 200235 上海市徐匯區龍*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 低噪聲放大器 芯片 | ||
1.一種低噪聲放大器,其特征在于,包括:偏置電路單元、第一放大電路單元、第一調整單元、第一信號輸入端、第二信號輸入端和第一信號輸出端,其中,
所述偏置電路單元用于為所述第一放大電路單元提供偏置電壓,所述偏置電路單元包括第一電壓輸出端和第二電壓輸出端;
所述第一放大電路單元包括:第一N型晶體管和第一P型晶體管、第一輸出電容、第二輸出電容、第一阻抗和第二阻抗;
所述第一N型晶體管的柵極通過調整單元與所述偏置電路單元的第一電壓輸出端連接,并通過所述第一調整單元與所述第一信號輸入端連接,所述第一P型晶體管的柵極通過所述第一調整單元與所述偏置電路單元的第二電壓輸出端連接,并通過所述第一調整單元與所述第一信號輸入端連接;所述第一N型晶體管的源極與所述第一P型晶體管的源極連接,并且均與所述第二信號輸入端連接;所述第一N型晶體管的漏極與所述第一阻抗連接,并通過所述第一輸出電容連接至所述第一信號輸出端,所述第一P型晶體管的漏極與所述第二阻抗連接,并通過所述第二輸出電容連接至所述第一信號輸出端;
所述偏置電路單元連接在工作電壓的高壓端與低壓端之間,所述第一放大電路單元中的第一阻抗與所述工作電壓的高壓端連接,所述第一放大電路單元中的第二阻抗與所述工作電壓的低壓端連接。
2.根據權利要求1所述的低噪聲放大器,其特征在于,所述第一調整單元包括:第一隔直電容、第二隔直電容、第一偏置電阻和第二偏置電阻,其中,
所述第一隔直電容連接在所述第一信號輸入端與所述第一N型晶體管的柵極之間,所述第二隔直電容連接在所述第一信號輸入端與所述第一P型晶體管的柵極之間;
所述第一偏置電阻連接在所述第一N型晶體管的柵極與所述第一電壓輸出端之間,所述第二偏置電阻連接在所述第一P型晶體管的柵極與所述第二電壓輸出端之間。
3.根據權利要求1所述的低噪聲放大器,其特征在于,所述偏置電路單元包括:順序串聯在所述工作電壓的高壓端與低壓端之間的第一電流源、第三N型晶體管、第三P型晶體管和第二電流源,還包括第一電壓輸出端和第二電壓輸出端,
其中,所述第三N型晶體管的柵極與所述第三N型晶體管的漏極連接,所述第三P型晶體管的柵極所述第三P型晶體管的漏極連接;所述第三N型晶體管的源極與所述第三P型晶體管的源極連接,所述第三N型晶體管和所述第三P型晶體管的柵極分別與所述第一電壓輸出端和所述第二電壓輸出端連接。
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