[發(fā)明專利]一種絕緣柵雙極型晶體管的制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201310326149.4
• 申請日: 2013-07-30
• 公開（公告）號: CN104347402A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄧小社;芮強(qiáng);張碩;王根毅
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331
• 代理公司: 無錫互維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32236
• 代理人: 龐聰雅;茅泉美

1.一種絕緣柵雙極型晶體管的制造方法，其特征在于：包括，

提供第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底，該半導(dǎo)體襯底具有第一主面和第二主面；

在所述半導(dǎo)體襯底的第二主面形成第一導(dǎo)電類型的場終止層；

在所述半導(dǎo)體襯底的第一主面有選擇的形成第二導(dǎo)電類型的基區(qū)；

在形成有所述基區(qū)的所述半導(dǎo)體襯底的第一主面繼續(xù)形成所述絕緣柵雙極型晶體管的第一主面結(jié)構(gòu)；

在形成有所述場終止層的所述半導(dǎo)體襯底的第二主面繼續(xù)形成所述絕緣柵雙極型晶體管的剩余第二主面結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管的制造方法，其特征在于：所述在形成有所述基區(qū)的所述半導(dǎo)體襯底的第一主面繼續(xù)形成所述絕緣柵雙極型晶體管的第一主面結(jié)構(gòu)包括：

在形成有所述基區(qū)的所述半導(dǎo)體襯底的第一主面上形成柵氧化層；

在所述柵氧化層上積淀形成多晶硅層；

有選擇的在所述柵氧層和所述多晶硅層上經(jīng)過光刻、刻蝕工藝制得有源區(qū)注入窗口，自所述有源區(qū)注入窗口向所述基區(qū)注入第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)以形成有源區(qū)；

在刻蝕有注入窗口的多晶硅層上形成介質(zhì)層；

在所述介質(zhì)層上有選擇的光刻、刻蝕出與所述有源區(qū)和所述基區(qū)相通的接觸孔；

在所述介質(zhì)層上形成金屬層以形成所述絕緣柵雙極型晶體管的第一電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管的制造方法，其特征在于：

所述在形成有所述場終止層的所述半導(dǎo)體襯底的第二主面繼續(xù)形成所述絕緣柵雙極型晶體管的剩余第二主面結(jié)構(gòu)包括：

自所述半導(dǎo)體襯底的第二主面向所述場終止層注入第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)以形成注入?yún)^(qū)；

在所述注入?yún)^(qū)上形成金屬層以形成所述絕緣柵雙極型晶體管的第一電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一所述的絕緣柵雙極型晶體管的制造方法，其特征在于：

第一導(dǎo)電類型為N型，第二導(dǎo)電類型為P型，

所述有源區(qū)為N+有源區(qū)，所述注入?yún)^(qū)為P+集電極區(qū)，第一電極為發(fā)射極，第二電極為集電極。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管的制造方法，其特征在于：通過離子注入、高溫推阱、激活工藝在所述半導(dǎo)體襯底的第二主面形成第一導(dǎo)電類型的場終止層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管的制造方法，其特征在于：通過離子注入、高溫推阱、激活工藝在所述半導(dǎo)體襯底的第一主面有選擇的形成第二導(dǎo)電類型的基區(qū)。