[發(fā)明專利]橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310325638.8 | 申請日： | 2013-07-30 |
| 公開（公告）號： | CN104347373B | 公開（公告）日： | 2018-03-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 聞?wù)h;馬萬里;趙文魁 | 申請（專利權(quán)）人： | 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11243 | 代理人： | 許靜,黃燦 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 橫向 擴(kuò)散 金屬 氧化物 半導(dǎo)體 晶體管 制造 方法 | ||
1.一種橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，包括在襯底上形成絕緣層的步驟，其特征在于，還包括以下步驟：
在所述絕緣層上形成柵極；
在柵極上形成阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述柵極；
研磨所述阻擋層至露出柵極，所述阻擋層的頂面與所述柵極的頂面齊平；
在柵極上形成電阻區(qū)，所述電阻區(qū)位于柵極所在區(qū)域的上方，且所述電阻區(qū)的阻值小于柵極的阻值；
去除所述阻擋層；
所述柵極由多晶硅層制成；
所述在柵極上形成電阻區(qū)的步驟包括：
在柵極上形成金屬層；
通過第一快速熱退火工藝使金屬與多晶硅反應(yīng)生成金屬硅化物，形成低電阻區(qū)；
去除剩余的金屬；
所述第一快速熱退火工藝的溫度為650～750度，時間為20～40秒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，通過濕法清洗工藝去除剩余的金屬。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，濕法清洗的藥液包括硫酸和雙氧水的混合液或氨水和雙氧水的混合液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，還包括：
通過第二快速熱退火工藝使金屬硅化物轉(zhuǎn)相。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述第二快速熱退火工藝的溫度為800-900度，時間為20～40秒。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金屬層的厚度為
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
