[發明專利]單層多點式觸控導電膜及單層多點式觸控屏

有效

• 申請號: 201310325606.8
• 申請日: 2013-07-30
• 公開（公告）號: CN103425343A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 楊廣舟;孫超
• 申請（專利權）人: 南昌歐菲光科技有限公司;深圳歐菲光科技股份有限公司;蘇州歐菲光科技有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041;G06F3/044
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 生啟;鄧云鵬

【技術領域】

本發明涉及一種觸控導電膜，特別是涉及一種單層多點式觸控導電膜及使用該單層多點式觸控導電膜的單層多點式觸控屏。

【背景技術】

透明導電膜是觸摸屏中接收觸摸等輸入信號的感應元件。目前，ITO（氧化銦錫）層是透明導電膜中至關重要的組成部分。雖然觸摸屏的制造技術一日千里的飛速發展著，但是以投射式電容屏為例，ITO層的基礎制造流程近年來并未發生太大的改變，總是不可避免的需要ITO鍍膜，ITO圖形化。

銦是一種昂貴的金屬材料，因此以ITO作為導電層的材料，很大程度上提升了觸摸屏的成本。再者，ITO導電層在圖形化工藝中，需將鍍好的整面ITO膜進行蝕刻，以形成ITO圖案，在此工藝中，大量的ITO被蝕刻掉，造成大量的貴金屬浪費及污染。

因此，ITO材料及相應工藝的使產品成本居高不下，導致傳統的單層多點式觸控導電膜的成本較高。

【發明內容】

鑒于上述狀況，有必要提供一種成本較低的單層多點式觸控導電膜。

一種單層多點式觸控導電膜，其包括：

透明基底，包括感應區以及與所述感應區相鄰的邊框區；

第一導電層，呈網格狀，設置于所述透明基底的感應區，所述第一導電層包括相互交叉的第一導電絲線，所述感應區開設有網格凹槽，所述第一導電層收容于所述網格凹槽；

絕緣層，位于第一導電絲線上方且嵌設于所述網格凹槽中；

第二導電層，呈網格狀，設置于所述透明基底的感應區，與所述第一導電層通過所述絕緣層隔開，所述第二導電層包括相互交叉的第二導電絲線；

其中，所述第一導電層及所述第二導電層中至少一個的材料為透明導電材料。

相較于傳統的單層多點式觸控導電膜，上述單層多點式觸控導電膜在透明基底開設網格凹槽，網格凹槽內填充第一導電絲線形成第一導電層，從而以嵌入式網格結構取代傳統ITO工藝結構，因而降低成本；同時第一導電層及第二導電層中至少一個的材料為透明導電材料，這樣對于第一導電層及第二導電層對準精度要求比較低，可以進一步降低成本。

在其中一個實施例中，還包括基質層，所述基質層設于所述透明基底表面，所述感應區及所述邊框區設于所述基質層遠離透明基底的一側。

在其中一個實施例中，所述第一導電層及所述第二導電層均設置于所述基質層的感應區。

在其中一個實施例中，還包括設于所述邊框區的第一引線電極及第二引線電極，所述第一引線電極與第一導電層電連接，所述第二引線電極與第二導電層電連接。

在其中一個實施例中，所述第一引線電極及所述第二引線電極為線條狀。

在其中一個實施例中，所述第一引線電極包括相互交叉的第一導電引線，所述第二引線電極包括相互交叉的第二導電引線。

在其中一個實施例中，所述第一引線電極位于所述邊框區的表面，或收容于開設于所述邊框區的第一凹槽中。

在其中一個實施例中，所述第二引線電極位于所述邊框區的表面，或收容于開設于所述邊框區的第二凹槽中。

在其中一個實施例中，所述第一導電層及所述第二導電層的網格為規則網格或隨機網格。

在其中一個實施例中，所述網格凹槽的寬度為d1，深度為h，其中，1μm≤d1≤5μm，2μm≤h≤6μm，h/d1＞1。

在其中一個實施例中，所述網格凹槽為底部為“V”字形、“W”字形、弧形、或波浪形的微型槽。

在其中一個實施例中，所述微型槽的深度為500nm～1μm。

在其中一個實施例中，所述透明基底的材料為熱塑性材料或PET。

在其中一個實施例中，所述基質層的材料為UV膠、壓印膠或聚碳酸酯。

在其中一個實施例中，所述透明導電材料為石墨烯、PEDOT、ITO或IZO。

在其中一個實施例中，還包括覆蓋所述第二導電層表面的透明保護層。

在其中一個實施例中，所述透明保護層的材料為UV膠、壓印膠或聚碳酸酯。

一種單層多點式觸控屏，包括覆蓋板、單層多點式觸控導電膜及顯示模組，所述單層多點式觸控導電膜為上述單層多點式觸控導電膜。

【附圖說明】

圖1為本發明實施方式的單層多點式觸控屏的結構示意圖；

圖2為圖1中的單層多點式觸控導電膜的剖面圖；

圖3（a）至圖3（d）為圖2所示的單層多點式觸控導電膜的網格凹槽的底部的不同實施例的結構示意圖；

圖4（a）至圖4（d）為圖2所示的單層多點式觸控導電膜的網格的不同實施例的結構示意圖；