[發(fā)明專利]單層多點(diǎn)式觸控屏及其單層多點(diǎn)式導(dǎo)電膜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310325581.1
• 申請日: 2013-07-30
• 公開（公告）號: CN103425341B
• 公開（公告）日: 2016-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊廣舟;孫超
• 申請（專利權(quán)）人: 南昌歐菲光科技有限公司;深圳歐菲光科技股份有限公司;蘇州歐菲光科技有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種單層多點(diǎn)式導(dǎo)電膜，其特征在于，包括：

透明基底，包括本體及由所述本體的一側(cè)延伸形成的至少一撓性連接部，所述撓性連接部的寬度小于所述本體延伸有所述撓性連接部的一側(cè)的寬度，所述撓性連接部設(shè)置有導(dǎo)通線路，所述本體上設(shè)有感應(yīng)區(qū)及位于所述感應(yīng)區(qū)邊緣的邊框區(qū)；

第一導(dǎo)電層，呈網(wǎng)格狀，設(shè)置于所述感應(yīng)區(qū)，所述第一導(dǎo)電層包括相互交叉的第一導(dǎo)電絲線，所述感應(yīng)區(qū)開設(shè)有網(wǎng)格凹槽，所述第一導(dǎo)電層收容于所述網(wǎng)格凹槽，所述第一導(dǎo)電絲線為非透明導(dǎo)電絲線；

絕緣層，位于第一導(dǎo)電絲線上方且嵌設(shè)于所述網(wǎng)格凹槽中；

第二導(dǎo)電層，呈網(wǎng)格狀，設(shè)置于所述透明基底的感應(yīng)區(qū)，并與所述第一導(dǎo)電層通過所述絕緣層隔開，所述第二導(dǎo)電層包括相互交叉的第二導(dǎo)電絲線，所述第二導(dǎo)電絲線為非透明導(dǎo)電絲線；

第一引線電極，設(shè)置于所述邊框區(qū)，所述第一引線電極與所述第一導(dǎo)電層電連接，所述導(dǎo)通線路通過所述第一引線電極與所述第一導(dǎo)電層電連接；及

第二引線電極，設(shè)置于所述邊框區(qū)，所述第二引線電極與所述第二導(dǎo)電層電連接，所述導(dǎo)通線路通過所述第二引線電極與所述第二導(dǎo)電層電連接；

其中，所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層的網(wǎng)格中其中一層的網(wǎng)格為規(guī)則網(wǎng)格，另一層的網(wǎng)格為隨機(jī)網(wǎng)格。

2.如權(quán)利要求1所述的單層多點(diǎn)式導(dǎo)電膜，其特征在于，還包括基質(zhì)層，所述基質(zhì)層設(shè)于所述透明基底表面，所述感應(yīng)區(qū)及所述邊框區(qū)設(shè)于所述基質(zhì)層遠(yuǎn)離透明基底的一側(cè)，所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層均設(shè)置于所述基質(zhì)層的感應(yīng)區(qū)。

3.如權(quán)利要求1所述的單層多點(diǎn)式導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一引線電極及所述第二引線電極為線條狀。

4.如權(quán)利要求1所述的單層多點(diǎn)式導(dǎo)電膜，其特征在于，所述絕緣層的材料為絕緣油墨或絕緣膠。

5.如權(quán)利要求3所述的單層多點(diǎn)式導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一引線電極包括相互交叉的第一導(dǎo)電引線，所述第二引線電極包括相互交叉的第二導(dǎo)電引線。

6.如權(quán)利要求1所述的單層多點(diǎn)式導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一引線電極位于所述邊框區(qū)的表面，或所述邊框區(qū)上開設(shè)第一凹槽，所述第一引線收容于開設(shè)于所述第一凹槽中。

7.如權(quán)利要求6所述的單層多點(diǎn)式導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第二引線電極位于所述邊框區(qū)的表面，或所述邊框區(qū)上開設(shè)第二凹槽，所述第二引線收容于開設(shè)于所述第二凹槽中。

8.如權(quán)利要求1所述的單層多點(diǎn)式導(dǎo)電膜，其特征在于，所述網(wǎng)格凹槽的寬度為d1，深度為h，其中，1μm≤d1≤5μm，2μm≤h≤6μm，h/d1＞1。

9.如權(quán)利要求1所述的單層多點(diǎn)式導(dǎo)電膜，其特征在于，所述網(wǎng)格凹槽為底部為“V”字形、“W”字形、弧形或波浪形的微型槽。

10.如權(quán)利要求9所述的單層多點(diǎn)式導(dǎo)電膜，其特征在于，所述微型槽的深度為500nm～1μm。

11.如權(quán)利要求1所述的單層多點(diǎn)式導(dǎo)電膜，其特征在于，所述透明基底的材料為熱塑性材料或PET。

12.如權(quán)利要求2所述的單層多點(diǎn)式導(dǎo)電膜，其特征在于，所述基質(zhì)層的材料為UV膠、壓印膠或聚碳酸酯。

13.如權(quán)利要求1所述的單層多點(diǎn)式導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一導(dǎo)電絲線及所述第二導(dǎo)電絲線的材料為銀、銅、導(dǎo)電聚合物或ITO。

14.如權(quán)利要求1所述的單層多點(diǎn)式導(dǎo)電膜，其特征在于，還包括覆蓋所述第二導(dǎo)電層表面的透明保護(hù)層。

15.如權(quán)利要求14所述的單層多點(diǎn)式導(dǎo)電膜，其特征在于，所述透明保護(hù)層的材料為UV膠、壓印膠或聚碳酸酯。

16.一種單層多點(diǎn)式觸控屏，包括覆蓋板、單層多點(diǎn)式導(dǎo)電膜及顯示模組，其特征在于，所述單層多點(diǎn)式導(dǎo)電膜為如權(quán)利要求1～15任一項所述的單層多點(diǎn)式導(dǎo)電膜。