[發(fā)明專利]一種磁阻限流器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310325339.4 | 申請日: | 2013-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN103414176A | 公開(公告)日: | 2013-11-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 周志敏;詹姆斯·G·迪克 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇多維科技有限公司 |
| 主分類號: | H02H9/02 | 分類號: | H02H9/02;H01L43/08 |
| 代理公司: | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103 | 代理人: | 孫仿衛(wèi);項(xiàng)麗 |
| 地址: | 215634 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 磁阻 限流 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及磁傳感器技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種新型的磁阻限流器。?
技術(shù)領(lǐng)域
在電子電路中,由于工業(yè)電源網(wǎng)絡(luò)波動性的存在,例如當(dāng)電網(wǎng)中接入或者斷開其他電器,以及由于錯誤接線或者元器件失效以及電源電路在開啟時,電容性元件的瞬時充電等因素都可能導(dǎo)致高的電流沖擊,使得電子元器件如LED等受到破壞。與此相對的另一種情況是,電網(wǎng)電壓的波動導(dǎo)致電路中瞬時出現(xiàn)電壓不足,導(dǎo)致工作電流低于正常工作電流值。?
為了解決這個問題,需要采用電熱元件作為限流器來保護(hù)電子元件,通過電熱元件自身參數(shù)性能如電阻的改變使得在高電流時能夠增加電阻降低電流,在電流不足時能夠減小電阻來增加電流,并在穩(wěn)定時使得電阻回復(fù)至正常電阻值來實(shí)現(xiàn)電流的限制作用,以保護(hù)電路中的元件。通常采用的電熱元件分為兩種,一種是正電阻溫度系數(shù)的電熱元件,當(dāng)電流增加時,電熱元件發(fā)熱,溫度升高導(dǎo)致電阻快速增加,從而減小電流幅度。而對于電容性元件存在的電路中例如AC-DC電源電路,在啟動時電容充電導(dǎo)致瞬時峰值電流,則采用另外一種負(fù)電阻溫度系數(shù)的電熱元件,即在起始階段具有高的電阻,用于限制開始時的電容充電的瞬時沖擊電流,當(dāng)電容正常工作時,電阻開始發(fā)熱溫度升高,導(dǎo)致電阻減小,使得消耗減小。?
但是電熱元件用于電流限流,存在著以下缺點(diǎn)和不足:?
1)電熱元件阻值的變化依賴于熱傳導(dǎo)所導(dǎo)致的溫度變化,溫度的上升和下降通常需要一定時間,因此其響應(yīng)速度較慢,而且溫度的變化依賴于電熱元件所處的環(huán)境,例如環(huán)境溫度的變化,以及電熱元件附近可能存在的其他元件如PCB板等都可能影響其相應(yīng)量及相應(yīng)速度;
2)如果電路中電流在間隔很短的時間內(nèi)連續(xù)產(chǎn)生峰值,則電熱元件在開始時能夠產(chǎn)生相應(yīng),對于后面發(fā)生的變化,由于溫度無法在短時間內(nèi)恢復(fù)到穩(wěn)定的工作狀態(tài),所以無法發(fā)揮限流作用;
3)電熱元件只能使得電路中的沖擊電流受到限制,對于電流低于正常值的情況則不能發(fā)揮作用,從而使電流減小幅度得到限制。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題,本發(fā)明提供了一種新型磁阻限流器,利用磁隧道結(jié)電阻隨外磁場變化的特點(diǎn),通過線圈將電流轉(zhuǎn)變成磁場,當(dāng)電流增加時,磁場增加,導(dǎo)致磁隧道結(jié)電阻增加,從而使得電流增加幅度得到限制,當(dāng)電路恢復(fù)正常時,磁場和電阻能夠迅速回到正常值,或者另一種情況,當(dāng)電流減小時,磁場減小,磁隧道結(jié)電阻減小,從而使得電流減小幅度得到限制,當(dāng)電路恢復(fù)正常時,磁場和電阻回到正常值。?
本發(fā)明提供了一種磁阻限流器,包括:基片、輸入電極、輸出電極、磁阻傳感器層、第一絕緣層、線圈、第二絕緣層以及磁屏蔽層;線圈位于磁屏蔽層和磁阻傳感器層之間,第一絕緣層分隔線圈和磁阻傳感器層,第二絕緣層分隔線圈和磁屏蔽層;磁阻傳感器層包括N行陣列式的磁隧道結(jié)行,N為大于1的整數(shù),每行磁隧道結(jié)行包括一個或多個互聯(lián)的磁隧道結(jié)單元,磁隧道結(jié)行之間以串聯(lián)、并聯(lián)或者混合串并聯(lián)形成磁阻傳感器層的兩端口結(jié)構(gòu),線圈也具有兩端口結(jié)構(gòu),磁阻傳感器層的一個端口與線圈的一個端口相接,磁阻傳感器層的另一個端口與輸入電極相連,線圈的另一端口與輸出電極相連;電流經(jīng)輸入電極流入磁阻傳感器層,再經(jīng)線圈從輸出電極流出。?
優(yōu)選的,所述磁阻傳感器層的電阻與流經(jīng)輸入電極-輸出電極的電流所產(chǎn)生磁場成線性關(guān)系,或所述磁阻傳感器層的電阻與流經(jīng)輸入電極-輸出電極的電流所產(chǎn)生磁場的絕對值成對稱線性分布特征,當(dāng)流經(jīng)輸入電極-輸出電極的電流為正常值時,所述磁阻傳感器層的電阻處于最小值或者最大值位置,且隨直流電流增加或減小,其對應(yīng)電阻也相應(yīng)增加或減小。?
優(yōu)選的,所述磁隧道結(jié)單元之間的連接方式是串聯(lián)、并聯(lián)或者串并聯(lián)混合,所述磁隧道結(jié)單元的磁敏感軸垂直于磁隧道結(jié)行。?
優(yōu)選的,所述線圈包含(2*N+M)個導(dǎo)電行,其中N>1,M=-1或3,并且所述導(dǎo)電行之間串聯(lián)連接,所述導(dǎo)電行平行于所述磁隧道結(jié)行,部分所述導(dǎo)電行位于所述磁隧道結(jié)行的上方或下方,另外部分所述導(dǎo)電行位于所述磁隧道結(jié)行之間,電流正方向流入位于所述磁隧道結(jié)行之上或之下的導(dǎo)電行,反方向流入位于兩個所述磁隧道結(jié)行之間的導(dǎo)電行。?
優(yōu)選的,線圈包含(N+M)個導(dǎo)電行,其中N>1,M=0或2,并且所述導(dǎo)電行之間并聯(lián)連接,所述導(dǎo)電行平行于所述磁隧道結(jié)行,所述導(dǎo)電行位于所述磁隧道結(jié)行的上方或下方,電流同方向流入各所述導(dǎo)電行。?
優(yōu)選的,當(dāng)M>0時,所述線圈的每個導(dǎo)電行的截面的尺寸相同;當(dāng)M=0或M<0時,通過改變所述線圈的導(dǎo)電行的截面尺寸,從而保證在所述磁阻傳感器層的每一磁隧道結(jié)行的位置處產(chǎn)生恒定敏感軸向磁場。?
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