[發(fā)明專利]一種改善柵氧擊穿時(shí)漏電偏大的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310325268.8 | 申請日： | 2013-07-30 |
| 公開（公告）號： | CN104347367A | 公開（公告）日： | 2015-02-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 芮強(qiáng);張碩;鄧小社;王根毅 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/26 | 分類號： | H01L21/26 |
| 代理公司： | 無錫互維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32236 | 代理人： | 龐聰雅;張莉 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 改善 擊穿 漏電 方法 | ||
1.一種改善柵氧擊穿時(shí)漏電偏大的方法，其特征在于，按順序?qū)ζ骷M(jìn)行如下工藝處理步驟：柵控器件的產(chǎn)品工藝完成后，利用紫外光對器件進(jìn)行照射，紫外光照射條件為溫度為20攝氏度～150攝氏度，時(shí)間為1min～60min，紫外光波長為190nm～400nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善柵氧擊穿時(shí)漏電偏大的方法，其特征在于：所述紫外光照射的參數(shù)為溫度60攝氏度～120攝氏度，時(shí)間為10min～40min，紫外波長為190nm～320nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善柵氧擊穿時(shí)漏電偏大的方法，其特征在于：所述紫外光照射的參數(shù)為溫度為70攝氏度～80攝氏度，時(shí)間為10min～20min，紫外波長為190nm～320nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善柵氧擊穿時(shí)漏電偏大的方法，其特征在于：對經(jīng)過紫外光照射后的器件進(jìn)行工藝測試，包括管芯與電路的測試。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
