[發(fā)明專利]用來(lái)減少角落接口的接口材料的可濕性的方法及相關(guān)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310325245.7
• 申請(qǐng)日: 2013-07-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103579098A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張洵淵;H·金;V·W·瑞安
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 格羅方德半導(dǎo)體公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/532
• 代理公司: 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽(yáng)

1.一種方法，包含：

在基底的介電層中形成凹部；

在該凹部的角落部分上的該凹部中形成第一轉(zhuǎn)換金屬層；

在該凹部中形成第二轉(zhuǎn)換金屬層在該第一轉(zhuǎn)換金屬層上方，以作為該凹部的襯里；

以填充層填充該凹部；

退火該基底，其中，該第一轉(zhuǎn)換金屬層和該第二轉(zhuǎn)換金屬層在該退火期間，形成靠近該角落部分的合金部分，其中，該合金部分對(duì)于該填充層的材料具有較該第二轉(zhuǎn)換金屬層減少的可濕性；以及

研磨該基底，以移除該填充層在該凹部上方所延伸的部分。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該填充層包含銅。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，填充該凹部包含在該第二轉(zhuǎn)換金屬層上方形成晶種層及在該晶種層上方形成該填充層的材料。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該第二轉(zhuǎn)換金屬層包含釕。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，該第一轉(zhuǎn)換金屬層包含鈦。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，研磨該晶圓包含在該填充層與靠近該角落部分的該合金部分之間形成凹部。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該第一轉(zhuǎn)換金屬層實(shí)質(zhì)上不在該凹部的側(cè)壁和底部分。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，還包含在形成該第一轉(zhuǎn)換金屬層前，在該凹部中形成阻障層。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，該阻障層包含氮化鉭。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該凹部包含溝槽。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該凹部包含通孔開(kāi)口。

12.一種方法，包含：

在基底的介電層中形成凹部；

在該凹部的角落部分上的該凹部中形成鈦層；

在該鈦層上方形成釕層，以作為該凹部的襯里；

以銅填充該凹部；

退火該基底，其中，該鈦層和該釕層在該退火期間，形成靠近該角落部分的合金部分；以及

研磨該基底，以移除該銅在該凹部上方延伸的部分。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，還包含在形成該鈦層前，在該凹部中形成阻障層。

14.一種半導(dǎo)體裝置，包含：

凹部，具有定義在介電層中的角落部分；

互連結(jié)構(gòu)，定義在該凹部中，該互連結(jié)構(gòu)包含：

第一和第二轉(zhuǎn)換金屬的合金，設(shè)置在該角落部分上；

一層該第二轉(zhuǎn)換金屬，作為該凹部的側(cè)壁部分的襯里；以及

填充材料，實(shí)質(zhì)地填充該凹部，其中，該第二轉(zhuǎn)換金屬對(duì)于該填充材料具有較該合金高的可濕性。

15.如權(quán)利要求14所述的裝置，還包含阻障層，設(shè)置在該合金層和該層該第二轉(zhuǎn)換金屬下方的該凹部中。

16.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中，該第二轉(zhuǎn)換金屬包含釕。

17.如權(quán)利要求16所述的裝置，其中，該第一轉(zhuǎn)換金屬包含鈦。

18.一種半導(dǎo)體裝置，包含：

凹部，具有定義在介電層中的角落部分；

互連結(jié)構(gòu)，定義在該凹部中，該互連結(jié)構(gòu)包含：

鈦和釕的合金，設(shè)置在該角落部分上；

釕層，作為該凹部的側(cè)壁部分的襯里；以及

銅，實(shí)質(zhì)地填充該凹部。

19.如權(quán)利要求18所述的裝置，還包含阻障層，設(shè)置在該合金和該釕層下方的該凹部中。

20.如權(quán)利要求19所述的裝置，其中，該阻障層包含氮化鉭。