[發(fā)明專利]一種具有低溫下快速響應(yīng)的寬向列相溫度區(qū)間混合液晶材料有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310325156.2 | 申請(qǐng)日: | 2013-07-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103333699A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-10-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 呂宏飛;白雪峰;楊杰;李猛;徐虹;單雯妍;王艷華;李淑輝;張惠 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 黑龍江省科學(xué)院石油化學(xué)研究院 |
| 主分類號(hào): | C09K19/30 | 分類號(hào): | C09K19/30 |
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所 23109 | 代理人: | 牟永林 |
| 地址: | 150040 黑龍*** | 國(guó)省代碼: | 黑龍江;23 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 低溫 快速 響應(yīng) 溫度 區(qū)間 混合 液晶 材料 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于液晶材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種具有低溫下快速響應(yīng)的寬向列相溫度區(qū)間混合液晶材料。
背景技術(shù)
隨著信息技術(shù)的發(fā)展,顯示技術(shù)已成為人機(jī)交互的重要途徑。CRT顯示技術(shù)的發(fā)展經(jīng)歷了陰極射線管顯示器、液晶顯示、等離子顯示以及目前的OLED顯示技術(shù)。液晶顯示以其功耗低、廣視角、便攜、無(wú)輻射等優(yōu)點(diǎn),目前已經(jīng)逐漸取代CRT顯示技術(shù),占據(jù)了幾乎全部市場(chǎng)份額。隨著液晶材料及液晶顯示技術(shù)的不斷革新,液晶顯示器已經(jīng)向全視角、大尺寸、高對(duì)比度和快速響應(yīng)方向發(fā)展。但目前的液晶顯示器,一般儲(chǔ)存溫度為-30℃~80℃,而使用溫度為-20℃~60℃,無(wú)法滿足高寒高熱等極端環(huán)境需求。為用于高寒高熱等極端環(huán)境,往往采用加熱補(bǔ)償?shù)确绞絹?lái)提高液晶的低溫性能,設(shè)備體積增大,成本增加。
向列相液晶材料作為一種顯示材料已經(jīng)廣泛應(yīng)用于顯示領(lǐng)域,如手表、電子計(jì)算器、儀器儀表、電腦顯示器和電視等領(lǐng)域。根據(jù)驅(qū)動(dòng)方式的不同,向列相液晶材料可以分為扭曲向列相液晶材料(TN)、超扭曲向列相液晶(STN)和薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)向列相液晶(TFT)。在這三種形式中,TFT模式向列相液晶性能明顯優(yōu)于TN和STN,并廣泛應(yīng)用于更高級(jí)的顯示領(lǐng)域。無(wú)論是TN、STN還是TFT向列相液晶,都要求:(1)具有較寬的向列相溫度區(qū)間;(2)高介電各向異性(Δε);(3)大折射率(Δn);(5)低粘度;(6)高化學(xué)穩(wěn)定性和電壓保持率。為滿足這些要求,目前已經(jīng)開(kāi)發(fā)了大量的液晶材料。
為獲得高電壓保持率,一般優(yōu)選含氟原子化合物,如含有3,4-二氟苯核終端的分子(DE3042391)和含3,4,5-三氟苯核終端的分子(US5032313),但這類化合物清亮點(diǎn)低于70℃,無(wú)法在高溫下使用,因此無(wú)法用于制備具備寬向列相溫度區(qū)間的液晶混合物。為解決這些問(wèn)題,合成了一系列終端含有四氟乙氧基化合物(DE4142519)和終端含有2,2,2-三氟乙氧基化合物(WO93/3113)化合物,但這些化合物同樣清亮點(diǎn)仍低于80℃。為提高Δε,在化合物的端基引入-CN(Nos.Sho62-103057和Nos.Sho63-216858),但引入-CN,導(dǎo)致化合物的粘度增加,響應(yīng)時(shí)間大大延長(zhǎng)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是要解決現(xiàn)有液晶材料熔點(diǎn)高、清亮點(diǎn)低、低溫情況下粘度大和響應(yīng)時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題,而提供一種具有低溫下快速響應(yīng)的寬向列相溫度區(qū)間混合液晶材料。
本發(fā)明一種具有低溫下快速響應(yīng)的寬向列相溫度區(qū)間混合液晶材料按質(zhì)量百分比由50%~70%的極性基團(tuán)取代的烷基環(huán)己基苯雙環(huán)化合物、20%~45%的極性基團(tuán)取代的烷基雙環(huán)己基苯類三環(huán)化合物、1%~5%的含有橋鍵的極性基團(tuán)取代的烷基環(huán)己基聯(lián)苯類三環(huán)化合物和0~5%的含橋鍵烷基環(huán)己基苯基聯(lián)苯類化合物制成,且以上各組分質(zhì)量百分比之和為100%;
所述的極性基團(tuán)取代的烷基環(huán)己基苯雙環(huán)化合物的結(jié)構(gòu)式為其中R1為1~7個(gè)碳原子的正烷基、端烯基或端炔基;X1為-H、-NCS、-F、-Cl、-CN、-CF3或-OCH3;所有1位和4位取代的環(huán)己基均為反式結(jié)構(gòu);
所述的極性基團(tuán)取代的烷基雙環(huán)己基苯類三環(huán)化合物的結(jié)構(gòu)式為其中R2為1~7個(gè)碳原子的正烷基、端烯基或端炔基;X2為-H、-NCS、-F、-Cl、-CN、-CF3或-OCH3;所有1位和4位取代的環(huán)己基均為反式結(jié)構(gòu);
所述的含有橋鍵的極性基團(tuán)取代的烷基環(huán)己基聯(lián)苯類三環(huán)化合物的結(jié)構(gòu)式為其中R3為1~7個(gè)碳原子的正烷基、端烯基或端炔基;X3為-H、-NCS、-F、-Cl、-CN、-CF3或-OCH3,Y為-CH2CH2-或-CF2O-橋鍵;所有1位和4位取代的環(huán)己基均為反式結(jié)構(gòu);
所述的含橋鍵烷基環(huán)己基苯基聯(lián)苯類化合物的結(jié)構(gòu)式為其中R4為1~7個(gè)碳原子的正烷基、端烯基或端炔基;X4為-H、-NCS、-F、-Cl、-CN、-CF3或-OCH3;Y為-CH2CH2-或-CF2O-橋鍵;所有1位和4位取代的環(huán)己基均為反式結(jié)構(gòu)。
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