[發(fā)明專利]電阻式存儲器及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310324933.1 | 申請日： | 2013-07-30 |
| 公開（公告）號： | CN104347799A | 公開（公告）日： | 2015-02-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 許博硯;沈鼎瀛;江明崇;魏敏芝 | 申請（專利權(quán)）人： | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 張然;李昕巍 |
| 地址： | 中國臺灣臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電阻 存儲器 及其 制造 方法 | ||
1.一種電阻式存儲器，其特征在于，包括：
相對設(shè)置的第一電極與第二電極，其中當(dāng)對該電阻式存儲器進行設(shè)定時電流從該第二電極流至該第一電極，而當(dāng)對該電阻式存儲器進行重置時電流從該第一電極流至該第二電極；
第一介電層，配置于該第一電極與該第二電極之間；
第二介電層，配置于該第一介電層與該第二電極之間；以及
第三介電層，配置于該第二介電層與該第二電極之間，其中該第一介電層的材料與該第三介電層的材料相同，且該第二介電層的材料與該第一介電層及該第三介電層的材料不同。
2.如權(quán)利要求1所述的電阻式存儲器，其中該第一介電層的材料與該第三介電層的材料包括氧化鉿、氧化鑭、氧化釓、氧化釔、氧化鋯、氧化鈦、氧化鉭、氧化鎳、氧化鎢、氧化銅、氧化鈷或氧化鐵。
3.如權(quán)利要求1所述的電阻式存儲器，其中該第一介電層與該第三介電層的厚度比為1:3、1:4、1:5或1:6。
4.如權(quán)利要求1所述的電阻式存儲器，其中該第二介電層的材料包括三氧化二鋁、二氧化硅、氧化鑭、氧化釓、氧化釔、氧化鋯、氧化鈦、氧化鉭、氧化鎳、氧化鎢、氧化銅、氧化鈷或氧化鐵。
5.如權(quán)利要求1所述的電阻式存儲器，還包括第四介電層，配置于該第一介電層與該第一電極之間。
6.如權(quán)利要求5所述的電阻式存儲器，其中該第四介電層的材料包括三氧化二鋁、二氧化硅、氧化鑭、氧化釓、氧化釔、氧化鋯、氧化鈦、氧化鉭、氧化鎳、氧化鎢、氧化銅、氧化鈷或氧化鐵。
7.如權(quán)利要求6所述的電阻式存儲器，其中該第四介電層的材料與該第一介電層及該第三介電層的材料不同。
8.如權(quán)利要求6所述的電阻式存儲器，其中該第四介電層的材料與該第二介電層的材料相同。
9.如權(quán)利要求6所述的電阻式存儲器，其中該第四介電層的材料與該第二介電層的材料不同。
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