[發明專利]一種三氧化鎢納米陣列電致變色薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201310324918.7
• 申請日: 2013-07-30
• 公開（公告）號: CN103395842A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 王秀麗;蔡國發;周鼎;谷長棟;涂江平
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: C01G41/02
• 分類號: C01G41/02;B82Y40/00
• 代理公司: 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224
• 代理人: 胡紅娟

1.一種三氧化鎢納米陣列電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1）將白鎢酸溶于過氧化氫水溶液，加水配制成含鎢濃度為1～5mol/L的過氧化鎢酸溶液；

2）將步驟1）中的過氧化鎢酸溶液涂在清潔干凈的導電基底的導電面上，得到覆蓋有晶種層的導電基底；

3）將鎢鹽溶于醇中，形成前軀體溶液，將步驟2）中的覆蓋有晶種層的導電基底固定于反應釜中，將前軀體溶液加入反應釜中，在150℃～250℃反應8h～16h，取出后再在350℃～450℃熱處理1h～3h，得到三氧化鎢納米陣列電致變色薄膜。

2.根據權利要求1所述的三氧化鎢納米陣列電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟1）中，所述的白鎢酸的制備包括：將鹽酸與鎢酸鈉水溶液混合，反應后產生沉淀，過濾后得到的沉淀即為白鎢酸。

3.根據權利要求2所述的三氧化鎢納米陣列電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，將鹽酸與鎢酸鈉水溶液混合為：向鎢酸鈉水溶液中滴加鹽酸，直至不產生沉淀為止；

所述的鹽酸的濃度為5～12mol/L；

所述的鎢酸鈉水溶液中鎢酸鈉的濃度為0.5～2mol/L。

4.根據權利要求1所述的三氧化鎢納米陣列電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟1）中，所述的過氧化氫水溶液中過氧化氫的質量百分數為20%～40%。

5.根據權利要求1所述的三氧化鎢納米陣列電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟1）中，所述的白鎢酸與過氧化氫水溶液中過氧化氫的摩爾比為1：2～5。

6.根據權利要求1所述的三氧化鎢納米陣列電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟2）中，所述的清潔干凈的導電基底制備包括：先將導電基底分別用丙酮、去離子水和乙醇超聲清洗，然后用氮氣吹干凈。

7.根據權利要求1所述的三氧化鎢納米陣列電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟2）中，過氧化鎢酸溶液分3～5次涂在清潔干凈的導電基底的導電面上，每次用旋涂儀以2000～4000r/min的速度旋涂20s～40s，每次涂完后均需在200℃～400℃保溫5～15分鐘。

8.根據權利要求1所述的三氧化鎢納米陣列電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟3）中，所述的鎢鹽為六羰基鎢、氯化鎢、過氧化鎢酸中的一種或多種；

所述的醇為無水乙醇；

所述的前軀體溶液中鎢鹽的濃度為0.001～0.05mol/L。

9.根據權利要求1～8任一項所述的制備方法制備的三氧化鎢納米陣列電致變色薄膜。

10.根據權利要求9所述的三氧化鎢納米陣列電致變色薄膜，其特征在于，厚度為0.2μm～3μm。