[發明專利]一種n型半導體有機薄膜及肖特基特性自整流阻變存儲器有效
| 申請號： | 201310324856.X | 申請日： | 2013-07-30 |
| 公開（公告）號： | CN103400936A | 公開（公告）日： | 2013-11-20 |
| 發明（設計）人： | 許積文;何玉汝;王華;戴培邦 | 申請（專利權）人： | 桂林電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;H01L27/24;H01L27/28;H01L51/00 |
| 代理公司： | 桂林市華杰專利商標事務所有限責任公司 45112 | 代理人： | 劉梅芳 |
| 地址： | 541004 廣西*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 有機 薄膜 肖特基 特性 整流 存儲器 | ||
【權利要求書】：
1.???一種作為n型半導體材料的PEI-MMA有機薄膜，其特征在于：所述PEI-MMA有機薄膜是由甲基丙烯酸甲酯和聚醚酰亞胺組成的共混物制成。
2.一種肖特基特性自整流阻變存儲器，包括底電極、沉積于底電極上的阻變層和沉積于阻變層上的上電極，其特征在于：所述底電極是導電薄膜電極，所述阻變層是n型PEI-MMA有機薄膜，所述上電極是金電極、銀電極、鉑電極、鈀電極、鋁電極、鈦電極或銅電極。
3.根據權利要求2所述的自整流阻變存儲器，其特征在于：還包括玻璃基片，所述底電極沉積于玻璃基片上。
4.????根據權利要求2所述的自整流阻變存儲器，其特征在于：所述導電薄膜電極是ITO薄膜電極，其厚度為20nm到400nm，電阻率低于3×10-4?·cm，但不為0。
5.????根據權利要求2、3、或4所述的自整流阻變存儲器，其特征在于：所述n型PEI-MMA有機薄膜厚度為20nm到200nm。
6.????根據權利要求5所述的自整流阻變存儲器，其特征在于：所述上電極的形狀為圓形或方形，厚度為60nm到200nm。
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