[發明專利]低供應電壓邏輯電路

在審

• 申請號: 201310324496.3
• 申請日: 2013-07-30
• 公開（公告）號: CN103580669A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: R.卡佩爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H03K19/003
• 分類號: H03K19/003
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬紅梅;盧江

1.一種低供應電壓邏輯電路，其包括：

第一電流源，其具有適用于接收第一控制信號的第一控制輸入端和在輸出端子與第一供應電壓端子之間的第一電流通路，所述第一電流源可操作來依靠所述第一控制信號產生通過所述第一電流通路的第一電流以及第一泄漏電流；

第二電流源，其具有耦合來接收第二控制信號的第二控制輸入端和在所述輸出端子與第二供應電壓端子之間的第二電流通路，所述第二電流源可操作來依靠所述第二控制信號產生通過所述第二電流通路的第二電流以及第二泄漏電流，

其中，所述第一控制信號和所述第二控制信號對應于輸入電壓以便使得所述第一電流源和所述第二電流源被相反地控制；

第三電流源，其具有在所述輸出端子與所述第一供應電壓端子之間的第三電流通路，?所述第三電流源可操作來產生通過所述第三電流通路的第三電流以補償所述第二泄漏電流；以及

第四電流源，其具有在所述輸出端子與所述第二供應電壓端子之間的第四電流通路，所述第四電流源可操作來產生通過第四電流通路的第四電流以補償所述第一泄漏電流。

2.根據權利要求1所述的電路，其中，所述第一電流源、所述第二電流源、所述第三電流源以及所述第四電流源每個都包括場效應晶體管，所述場效應晶體管具有柵極端子和在源極端子與漏極端子之間的源極-漏極通路，并且其中，所述柵極形成所述控制輸入端而所述源極-漏極通路形成所述電流通路。

3.根據權利要求2所述的電路，其中，所述第一電流源的所述場效應晶體管和所述第四電流源的所述場效應晶體管具有第一導電類型，而所述第二電流源的所述場效應晶體管和所述第三電流源的所述場效應晶體管具有第二導電類型。

4.根據權利要求3所述的電路，其中：

所述第一電流源和第二電流源的所述場效應晶體管的所述柵極端子彼此耦合以形成被耦合來接收所述輸入電壓的輸入端；并且

所述第三電流源和第四電流源的所述場效應晶體管的所述柵極端子與所述輸出端子耦合。

5.根據權利要求2所述的電路，其中，所述第一電流源的所述場效應晶體管和所述第四電流源的所述場效應晶體管被匹配，而所述第二電流源的所述場效應晶體管和所述第三電流源的所述場效應晶體管被匹配。

6.根據權利要求1所述的電路，其中，通過所述第三電流通路的電流是所述第二泄漏電流的n倍而通過所述第四電流通路的電流是所述第一泄漏電流的p倍。

7.根據權利要求6所述的電路，其中，所述第一電流源包括多個n個場效應晶體管并且所述第二電流源包括多個p個場效應晶體管，所述場效應晶體管具有柵極端子和在源極端子與漏極端子之間的源極-漏極通路，并且其中，所述柵極形成所述控制輸入端而所述源極-漏極通路形成所述電流通路。

8.根據權利要求7所述的電路，其中，所述第一電流源的所述n個場效應晶體管與所述第一晶體管相同，而所述第二電流源的所述p個場效應晶體管與所述第二晶體管相同。

9.根據權利要求6所述的電路，其中，p和n取決于所述輸入電壓。

10.根據權利要求6所述的電路，其中，p和n取決于制造工藝參數。