[發明專利]AMOLED直接電信號混合反饋電路及其驅動方法

有效

• 申請號: 201310324078.4
• 申請日: 2013-07-30
• 公開（公告）號: CN103400547A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 姚光宇;郭小軍;劉文江
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 祖志翔

1.一種AMOLED直接電信號混合反饋電路，包括包含于AMOLED每一像素點中的像素電路、為驅動該像素電路提供電信號的外圍驅動電路和連接該外圍驅動電路與像素電路的數據線，其特征在于：

所述的外圍驅動電路包括流控電壓源和函數模塊，其中，流控電壓源的輸入端連接數據電壓輸入端并接收外部的輸入數據電壓V_IN，該流控電壓源的第一輸出端輸出流控電壓源輸出電壓V_IN′，并且該流控電壓源輸出電壓V_IN′與輸入數據電壓V_IN的電壓差在流控電壓源的第一輸出端上形成流控電壓源輸出電流I_ERROR，該流控電壓源的第二輸出端輸出與流控電壓源輸出電流I_ERROR關聯的流控電壓源輸出電信號S_OUT，函數模塊的輸入端連接流控電壓源的第二輸出端并接收該流控電壓源輸出電信號S_OUT，該函數模塊的輸出端輸出函數模塊輸出電壓V_OUT，該函數模塊輸出電壓V_OUT的增加或減小與流控電壓源輸出電信號S_OUT的正或負相對應，函數模塊輸出電壓V_OUT的變化量與流控電壓源輸出電信號S_OUT的絕對值成正比；

所述的數據線包括第一數據線和第二數據線，其中，第一數據線連接函數模塊的輸出端以傳遞函數模塊輸出電壓V_OUT，第二數據線連接流控電壓源的第一輸出端以傳遞流控電壓源輸出電壓V_IN′和流控電壓源輸出電流I_ERROR；

所述的像素電路包括有機發光二極管、壓控電流源、儲存電容、第一開關和第二開關，其中，第一開關的第一輸入端連接第一數據線并接收該第一數據線傳遞的函數模塊輸出電壓V_OUT，該第一開關的第二輸入端連接開關控制信號輸入端并接收控制信號V_SCAN，該第一開關的輸出端輸出第一開關輸出電壓V_OUT′，第二開關的第一輸入端連接第二數據線并接收該第二數據線傳遞的流控電壓源輸出電壓V_IN′和流控電壓源輸出電流I_ERROR，該第二開關的第二輸入端連接開關控制信號輸入端并接收控制信號V_SCAN，該第二開關的輸出端輸出第二開關輸出電壓V_IN〞，壓控電流源的第一輸入端連接第一開關的輸出端并接收第一開關輸出電壓V_OUT′，該壓控電流源的第二輸入端連接像素電路第一供電電極，該壓控電流源的輸出端連接有機發光二極管的輸入端，并且為有機發光二極管提供與第一開關輸出電壓V_OUT′關聯的壓控電流源輸出電流I_D，儲存電容的輸入端連接壓控電流源的第一輸入端以儲存輸入的第一開關輸出電壓V_OUT′，該儲存電容的輸出端連接像素電路第一供電電極，有機發光二極管的輸入端同時連接第二開關的輸出端，該有機發光二極管的輸出端連接像素電路第二供電電極。

2.根據權利要求1所述的AMOLED直接電信號混合反饋電路，其特征在于：所述的流控電壓源由硅金屬氧化物半導體場效應晶體管或者薄膜晶體管實現。

3.根據權利要求1所述的AMOLED直接電信號混合反饋電路，其特征在于：所述的流控電壓源替換為流控電流源。

4.根據權利要求3所述的AMOLED直接電信號混合反饋電路，其特征在于：所述的流控電流源由硅金屬氧化物半導體場效應晶體管或者薄膜晶體管實現。

5.根據權利要求1或3所述的AMOLED直接電信號混合反饋電路，其特征在于：所述的壓控電流源、第一開關和第二開關均由N型或P型的薄膜晶體管實現，所述的函數模塊由硅金屬氧化物半導體場效應晶體管或者薄膜晶體管實現。

6.根據權利要求1所述的AMOLED直接電信號混合反饋電路，其特征在于：所述的第一數據線傳遞的函數模塊輸出電壓V_OUT和第二數據線傳遞的流控電壓源輸出電壓V_IN′均為電壓信號。