[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法、半導(dǎo)體器件、支撐襯底和半導(dǎo)體制造裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310323696.7
• 申請(qǐng)日: 2013-07-30
• 公開（公告）號(hào): CN103681398A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 辻井浩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L21/683
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 高科

相關(guān)申請(qǐng)?

本申請(qǐng)享有以日本專利申請(qǐng)第2012-201132號(hào)（申請(qǐng)日：2012年9月13日）為基礎(chǔ)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過(guò)援引該基礎(chǔ)申請(qǐng)而包含基礎(chǔ)申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容。?

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體器件的制造方法、半導(dǎo)體器件、支撐襯底和半導(dǎo)體制造裝置。?

背景技術(shù)

單獨(dú)半導(dǎo)體（分離的半導(dǎo)體）等的縱長(zhǎng)型半導(dǎo)體器件，一般情況下通過(guò)研削、研磨、蝕刻等從背面對(duì)半導(dǎo)體襯底（以下，稱為晶片）進(jìn)行減薄加工后，針對(duì)該背面進(jìn)行各種加工處理，然后檢查其電氣特性，將半導(dǎo)體器件切割成單片。然而，因晶片的厚度變薄后造成的強(qiáng)度降低、形成的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)造成的應(yīng)力等，晶片中產(chǎn)生的翹曲變大。由此，晶片的運(yùn)送（操作）變得困難。另外，運(yùn)送時(shí)或加工時(shí)容易產(chǎn)生問(wèn)題（例如，破裂或缺口）。?

因此，采取了將支撐襯底（支撐板）粘貼在晶片上的狀態(tài)下，對(duì)晶片的背面實(shí)施各種加工處理的對(duì)策。另外，在對(duì)晶片背面進(jìn)行各種加工處理而在背面上形成電極后的電氣特性檢查（所謂芯片檢查）中，需要使電氣特性檢查裝置的探頭與位于晶片表面?zhèn)鹊碾姌O（表面電極）接觸，使電氣特性檢查裝置的測(cè)試臺(tái)與位于晶片背面?zhèn)鹊碾姌O（背面電極）接觸。?

但是，在晶片上粘貼了支撐襯底（例如，玻璃襯底）的狀態(tài)下，?探頭無(wú)法接觸到電極。因此，在檢查半導(dǎo)體器件的電氣特性時(shí)，必須將晶片上粘貼的支撐襯底剝離而露出電極。通常，在把晶片安裝在切片板（dicing?sheet）上的狀態(tài)下剝離支撐襯底，支撐襯底剝離后不能保證晶片的強(qiáng)度。?

于是，為強(qiáng)化減薄后的晶片，提出了用具有吸附孔的處理托盤（強(qiáng)化襯底）吸住半導(dǎo)體襯底的狀態(tài)下，把半導(dǎo)體襯底切片，將半導(dǎo)體器件切割成單片，上述吸附孔用于吸附形成于半導(dǎo)體襯底上的各半導(dǎo)體器件。?

但是，在現(xiàn)有的方法中，不能從晶片減薄到半導(dǎo)體器件的電氣特性檢查為止，一直對(duì)晶片進(jìn)行強(qiáng)化。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施方式提供從晶片減薄到半導(dǎo)體器件的電氣特性檢查為止，可以一直對(duì)晶片進(jìn)行強(qiáng)化的半導(dǎo)體器件的制造方法、由該制造方法制造的制造半導(dǎo)體器件、支撐襯底和半導(dǎo)體制造裝置。?

根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法包括：在第一面上形成了多個(gè)半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體襯底的與上述第一面相對(duì)的第二面上，粘貼形成有貫通孔的第二支撐襯底，以使得上述貫通孔與上述半導(dǎo)體器件相重疊的工序；以及使電氣特性檢查裝置的探頭接觸于上述半導(dǎo)體器件的上述第一面上設(shè)置的表面電極和從上述貫通孔露出的上述半導(dǎo)體器件的背面電極，測(cè)定上述半導(dǎo)體器件的電氣特性的工序。?

根據(jù)實(shí)施方式，可以從晶片減薄到半導(dǎo)體器件的電氣特性檢查為止，一直對(duì)晶片進(jìn)行強(qiáng)化。?

附圖說(shuō)明

圖1是根據(jù)實(shí)施方式的支撐襯底的構(gòu)成圖。?

圖2是將根據(jù)實(shí)施方式的支撐襯底粘貼到晶片上的圖。?

圖3是根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序圖。?

圖4是根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序圖。?

圖5是根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序圖。?

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖詳細(xì)說(shuō)明實(shí)施方式。?

（實(shí)施方式）?

<支撐襯底100的構(gòu)成>?

說(shuō)明支撐襯底100（第二支撐襯底）的構(gòu)成。?

圖1是根據(jù)實(shí)施方式的支撐襯底100的構(gòu)成圖。圖1（a）是支撐襯底100的俯視圖。圖1（b）是支撐襯底100的平面圖。圖1（c）是沿圖1（b）的I-I線的支撐襯底100的剖視圖。圖2是將支撐襯底100粘貼到晶片W上的圖。以下，參照?qǐng)D1、圖2說(shuō)明根據(jù)實(shí)施方式的支撐襯底100的構(gòu)成。?

在對(duì)形成有半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體襯底W（以下，稱為晶片W）的背面進(jìn)行研削而減薄時(shí)、和把晶片W減薄后，使用支撐襯底100作為通過(guò)進(jìn)行切片來(lái)檢查晶片W上形成的半導(dǎo)體器件的電氣特性之前的晶片W的強(qiáng)化襯底。?

在支撐襯底100上形成從表面H1貫通到背面H2的多個(gè)貫通孔101。在將該支撐襯底100粘貼到了晶片W上時(shí)，在與晶片W上形成的矩形的半導(dǎo)體器件C相重疊的位置形成該貫通孔101。即，與晶片W上形成的半導(dǎo)體器件的位置相匹配地形成支撐襯底100的貫通孔101。?

支撐襯底100是將玻璃或金屬制的一張板沖切而制成，形成為其外徑D1與作為支撐對(duì)象的晶片W的直徑大致相同。具體地，支撐襯底100的外徑D1比晶片W的直徑D2大20mm左右是優(yōu)選的。?