[發明專利]與輸出電容直接并聯的MOSFET同步整流電路及同步整流方法

有效

• 申請號: 201310323655.8
• 申請日: 2013-07-29
• 公開（公告）號: CN103391016B
• 公開（公告）日: 2017-02-08
• 發明（設計）人: 魏其萃;翁大豐
• 申請（專利權）人: 魏其萃
• 主分類號: H02M7/219
• 分類號: H02M7/219
• 代理公司: 杭州中成專利事務所有限公司33212
• 代理人: 金祺

1.與輸出電容直接并聯的MOSFET同步整流電路，包括MOSFET構成的整流電路；其特征是：所述MOSFET構成的整流電路中包括兩個用于電流流動的單向開關閥和兩個雙向開關閥。

2.根據權利要求1所述的與輸出電容直接并聯的MOSFET同步整流電路，其特征是：所述單向開關閥通過MOSFET和驅動電路A構成；

所述驅動電路A包括依次信號連接的MOSFET檢測網絡（100）、電平比較器（200）和驅動器（300）；

所述MOSFET檢測網絡（100）內包括有電流源、電阻和穩壓管；

MOSFET檢測網絡（100）的輸入端與MOSFET構成的整流電路的電壓輸入端相連接，所述電阻的一端與MOSFET檢測網絡（100）的輸入端相連接，所述電阻的另外一端與MOSFET檢測網絡（100）的輸出端相連接，所述電流源和穩壓管分別在MOSFET檢測網絡（100）的輸出端與電阻相連接；

所述電壓比較器（200）包括參考電壓和比較器；所述參考電壓與比較器的正極輸入端相連接；所述MOSFET檢測網絡（100）的輸出端與比較器的負極輸入端相連接；

所述比較器的輸出端與驅動器（300）的輸入端相連接；所述驅動器（300）的輸出端與MOSFET的柵極相連接；

所述的電流源通過在參考電壓上外接外接電阻產生。

3.一種與輸出電容直接并聯的MOSFET同步整流電路的方法，其特征是：MOSFET構成的整流電路的電壓輸入端向MOSFET檢測網絡（100）輸入輸入電壓Vin；

所述MOSFET檢測網絡（100）輸出輸出電壓V_O；

所述輸出電壓V_O輸入到電壓比較器（200）；

電壓比較器（200）通過輸出電壓V_O和參考電壓Vref進行比較后輸出電平信號；

所述驅動器（300）根據電壓比較器（200）輸出的電平信號控制MOSFET的開通和關斷。

4.根據權利要求3所述的與輸出電容直接并聯的MOSFET同步整流電路的方法，其特征是：當輸入電壓Vin大于穩壓管電壓V_CLAMP時，MOSFET檢測網絡（100）的輸出電壓V_O是V_CLAMP；

當輸入電壓Vin小于穩壓管電壓V_CLAMP時，MOSFET檢測網絡（100）的輸出電壓V_O=I_SS×R_DET+V_DS；

所述V_DS為MOSFET工作于同步整流狀態時，MOSFET所流過的電流I_DS?在MOSFET的導通電阻R_DSON上的電壓降；

所述電流I_DS為負值，所述電壓降V_DS<0。

5.根據權利要求4所述的與輸出電容直接并聯的MOSFET同步整流電路的方法，其特征是：所述輸出電壓V_O大于參考電壓Vref，比較器輸出低電平；所述參考電壓Vref大于輸出電壓V_O，比較器輸出高電平。

6.根據權利要求5所述的與輸出電容直接并聯的MOSFET同步整流電路的方法，其特征是：所述低電平經驅動器（300）輸出到MOSFET的柵極，使得MOSFET關斷；所述高電平經驅動器（300）輸出到MOSFET的柵極，使得MOSFET保持開通。

7.根據權利要求6所述的與輸出電容直接并聯的MOSFET同步整流電路的方法，其特征是：當MOSFET關斷時，流過MOSFET的電流換流到MOSFET的體二極管；

所述MOSFET的體二極管的電流為零時，MOSFET的電壓降V_DS增加；

所述MOSFET的電壓降V_DS大于穩壓管電壓V_CLAMP時，MOSFET檢測網絡（100）的輸出電壓V_O為穩壓管電壓V_CLAMP。