[發(fā)明專利]用于制備二氯二氫硅的設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310323047.7
• 申請(qǐng)日: 2013-07-29
• 公開（公告）號(hào): CN103408025A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 司文學(xué);嚴(yán)大洲;肖榮暉;湯傳斌;楊永亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)恩菲工程技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): C01B33/107
• 分類號(hào): C01B33/107
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 李志東

1.一種用于制備二氯二氫硅的設(shè)備，其特征在于，包括：

歧化反應(yīng)器，所述歧化反應(yīng)器設(shè)置有陰離子交換樹脂，用于在存在陰離子交換樹脂作為催化劑的條件下，使三氯氫硅發(fā)生歧化反應(yīng)，以便獲得含有二氯二氫硅和四氯化硅的反應(yīng)產(chǎn)物；以及

分離裝置，所述分離裝置與所述歧化反應(yīng)器相連，用于從所述反應(yīng)產(chǎn)物分離二氯二氫硅。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述歧化反應(yīng)器包括：

反應(yīng)器本體，所述反應(yīng)器本體內(nèi)限定出歧化反應(yīng)空間；

催化劑床層，所述催化劑床層由陰離子交換樹脂構(gòu)成，并且設(shè)置在所述歧化反應(yīng)空間內(nèi)；

三氯氫硅進(jìn)料口，所述三氯氫硅進(jìn)料口設(shè)置在所述反應(yīng)器本體上，向所述歧化反應(yīng)空間內(nèi)供給三氯氫硅，用于在存在陰離子交換樹脂作為催化劑的條件下，使三氯氫硅發(fā)生歧化反應(yīng)，以便獲得含有二氯二氫硅和四氯化硅的反應(yīng)產(chǎn)物；以及

反應(yīng)產(chǎn)物出料口，所述反應(yīng)產(chǎn)物出料口設(shè)置在所述反應(yīng)器本體上，用于將所述歧化反應(yīng)空間內(nèi)的反應(yīng)產(chǎn)物排出所述歧化反應(yīng)空間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述陰離子交換樹脂為弱堿性陰離子交換樹脂。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述陰離子交換樹脂的含水量為10wt%以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述陰離子交換樹脂是以多孔球狀顆粒提供的，所述多孔球狀顆粒的直徑為0.1-2mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述催化劑床層的高徑比L/D在3-200的范圍內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述催化劑床層的高度為至少2m。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述三氯氫硅進(jìn)料口和反應(yīng)產(chǎn)物出料口被設(shè)置為使得所述三氯氫硅自下而上通過(guò)所述催化劑床層。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，沿所述反應(yīng)器本體軸向方向，所述三氯氫硅進(jìn)料口設(shè)置在所述催化劑床層的下方，所述反應(yīng)產(chǎn)物出料口設(shè)置在所述催化劑床層的上方。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述歧化反應(yīng)器進(jìn)一步包括：

保溫組件，所述保溫組件設(shè)置在所述反應(yīng)器本體上，用于對(duì)所述催化劑床層進(jìn)行保溫，其中，所述保溫組件包括氯硅烷入口和氯硅烷出口。