[發明專利]一種存儲芯片門限電壓調節方法、裝置以及存儲芯片

有效

• 申請號: 201310322945.0
• 申請日: 2013-07-29
• 公開（公告）號: CN104346230B
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發明（設計）人: 高長磊;楊碧波;管慧娟
• 申請（專利權）人: 聯想(北京)有限公司
• 主分類號: G06F11/00
• 分類號: G06F11/00;G11C16/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 王寶筠

技術領域

本申請涉及數據存儲技術領域，特別是涉及一種存儲芯片門限電壓調節方法、裝置以及存儲芯片。

背景技術

TLC（Triple-Level Cell，三階儲存單元）可以在每個儲存單元內儲存3個信息比特，并且由于其儲存容量變大，成本低廉許多，廣泛用于低階的NAND Flash相關產品上，象是低速快閃記憶卡、小型記憶卡microSD或隨身碟等。

通過對現有技術研究，申請人發現：TLC在一次編程以后，會隨著時間流逝發生數據保留（data retention），即會出現存儲電荷泄露造成電壓漂移，從而導致BER（Bit Erro Rate，誤碼率）上升。這個特性成為影響TLC壽命的重要原因，舉例來說，TLC的標稱P/E cycle即擦寫次數為500次，那么小于這個閾值的話其放置一年后由于數據保留造成的BER可以在ECC（Error Correction Code，糾錯碼）的校驗范圍內，而大于這個閾值就則會超出ECC的校驗范圍，從而限制了TLC的使用壽命。

發明內容

有鑒于此，本申請實施例提供一種存儲芯片門限電壓調節方法、裝置以及存儲芯片，以實現提高存儲芯片的使用壽命。

為了實現上述目的，本申請實施例提供的技術方案如下：

一種存儲芯片門限電壓調節方法，在存儲芯片內設置有相互獨立的第一存儲塊和第二存儲塊，所述第一存儲塊為只讀模式，所述第二存儲塊用于存儲用戶數據，該方法包括：

檢測所述第一存儲塊內的誤碼率，并根據所述誤碼率計算所述第一存儲塊的數據保留時間；

判斷所述第二存儲塊的擦寫次數是否等于預設擦寫次數；

如果是，在預先設置的數據保留時間和門限電壓值關系表中查找與所述數據保留時間相對應的門限電壓值；

根據查找到的門限電壓值調節所述第二存儲塊讀取數據時的門限電壓。

優選地，所述根據所述誤碼率計算所述第一存儲塊的數據保留時間，包括：

判斷所述誤碼率是否小于等于預設閾值，所述預設閾值小于所述第一存儲塊的最大誤碼率；

如果是，在預先設置的誤碼率和數據保留時間的關系表中查找與所述誤碼率相對應的數據保留時間。

優選地，其特征在于，所述根據所述誤碼率計算所述第一存儲塊的數據保留時間，包括：

判斷所述誤碼率是否大于等于所述最大誤碼率；

如果是，按照預設方式調節所述第一存儲塊的門限電壓直至所述誤碼率小于所述誤碼率最大值；

記錄調節后第一存儲塊的門限電壓值和誤碼率；

在預先設置的門限電壓值、誤碼率和數據保留時間的關系表中查找第一存儲塊的數據保留時間。

優選地，所述根據所述誤碼率計算所述第一存儲塊的數據保留時間，包括：

判斷所述誤碼率是否位于所述預設閾值與所述最大誤碼率之間；

如果是，按照預設方式調節所述第一存儲塊的門限電壓直至所述誤碼率小于所述預設閾值；

記錄調節后第一存儲塊的門限電壓值和誤碼率；

在預先設置的門限電壓值、誤碼率和數據保留時間的關系表中查找第一存儲塊的數據保留時間。

優選地，所述預設方式包括：

按照固定的幅度將所述第一存儲塊的門限電壓調小。

一種存儲芯片門限電壓調節裝置，在存儲芯片內設置有相互獨立的第一存儲塊和第二存儲塊，所述第一存儲塊為只讀模式，所述第二存儲塊用于存儲用戶數據，該裝置包括：

誤碼率檢測單元，用于檢測所述第一存儲塊內的誤碼率；

數據保留時間計算單元，用于根據所述誤碼率計算所述第一存儲塊的數據保留時間；

擦寫次數判斷單元，用于判斷所述第二存儲塊的擦寫次數是否等于預設擦寫次數；

門限電壓查找單元，用于當所述擦寫次數判斷單元的判斷結果為是時，在預先設置的數據保留時間和門限電壓值關系表中查找與所述數據保留時間相對應的門限電壓值；

第二存儲塊門限電壓調節單元，用于根據查找到的門限電壓值調節所述第二存儲塊讀取數據時的門限電壓。

優選地，所述數據保留時間計算單元包括：

第一誤碼率判斷單元，用于判斷所述誤碼率是否小于等于預設閾值，所述預設閾值小于所述第一存儲塊的最大誤碼率；

查找單元，用于當所述第一誤碼率判斷單元的判斷結果為是時，在預先設置的誤碼率和數據保留時間的關系表中查找與所述誤碼率相對應的數據保留時間。

優選地，所述數據保留時間計算單元還包括：