[發明專利]一種共軛聚合物半導體材料、制備方法及應用無效
| 申請號: | 201310322612.8 | 申請日: | 2013-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN103467710A | 公開(公告)日: | 2013-12-25 |
| 發明(設計)人: | 袁建宇;馬萬里 | 申請(專利權)人: | 蘇州大學 |
| 主分類號: | C08G61/12 | 分類號: | C08G61/12;C08G61/10;H01L51/46 |
| 代理公司: | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海鋒 |
| 地址: | 215123 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 共軛 聚合物 半導體材料 制備 方法 應用 | ||
1.一種共軛聚合物半導體材料,其特征在于它的結構式為:
??;
其中,Ar1和Ar2獨立地代表未取代或含有取代基的下述基團中的任意一種:亞乙烯基、亞乙炔基、單環亞芳基、雙環亞芳基、含至少三個環的多環亞芳基、單環雜亞芳基、雙環雜亞芳基和含至少三個環的多環雜亞芳基;所述的雙環亞芳基、多環亞芳基、雙環雜亞芳基、多環雜亞芳基中,環與環之間為稠合或通過單鍵連接;
R1,R2獨立地代表下述基團中的任意一種:氫、具有1~30個碳原子的烷基、具有1~30個碳原子的烷氧基;
n代表聚合物的重復單元個數,為5~500的自然數。
2.根據權利要求1所述的一種共軛聚合物半導體材料,其特征在于:所述的單環亞芳基包括如下單元中的一種:
。
3.根據權利要求1所述的一種共軛聚合物半導體材料,其特征在于:所述的雙環亞芳基包括如下單元中的一種:
。
4.根據權利要求1所述的一種共軛聚合物半導體材料,其特征在于:所述的多環亞芳基包括如下單元中的一種:
。
5.一種如權利要求1所述的共軛聚合物半導體材料的制備方法,其特征在于包括如下步驟:
(1)按摩爾比1:1.5~1:2.5,將具有1~30個碳原子的烷基對甲苯磺酸或具有1~30個碳原子的烷氧基對甲苯磺酸,與單體Ar1或Ar2反應,把含有氧原子的側鏈引入到共軛單體中,得到改性后的單體Ar1或Ar2;
(2)按摩爾比1:1,將改性后的單體Ar1或Ar2,與單體A或單體B在零價鈀為催化劑,鹵代苯為溶劑,加熱回流條件下,通過Stille偶聯的聚合方法,得到一種共軛聚合物半導體材料;所述的單體A為單體Ar1或Ar2,單體B為改性后的單體Ar1或Ar2;
所述的單體Ar1和Ar2獨立的代表未取代或含有取代基的下述基團中的任意一種:亞乙烯基、亞乙炔基、單環亞芳基、雙環亞芳基、含至少三個環的多環亞芳基、單環雜亞芳基、雙環雜亞芳基和含至少三個環的多環雜亞芳基;所述的雙環亞芳基、多環亞芳基、雙環雜亞芳基、多環雜亞芳基中,環與環之間為稠合或通過單鍵連接。
6.一種如權利要求1所述的共軛聚合物半導體材料的制備方法,其特征在于:所述的具有1~30個碳原子的烷氧基對甲苯磺酸為[2-[2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]乙氧基]對甲苯磺酸。
7.如權利要求1所述的一種共軛聚合物半導體材料的應用,其特征在于:將共軛聚合物半導體材料與富勒烯衍生物按重量比1:1~1:2共混溶解后,采用溶液旋涂方法得到聚合物/富勒烯衍生物兩相分離的薄膜,用作體相異質節聚合物太陽能電池中的光敏層材料。
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