[發(fā)明專利]修復異常剛性導柱凸塊的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310322538.X | 申請日: | 2013-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN103579027A | 公開(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | V·W·瑞安;H·蓋斯勒;D·布羅伊爾 | 申請(專利權)人: | 格羅方德半導體公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L23/48;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 英屬開曼群*** | 國省代碼: | 開曼群島;KY |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 修復 異常 剛性 導柱 方法 | ||
1.一種方法,包括:
形成導柱凸塊在半導體芯片的金屬化系統(tǒng)上方;以及
在該導柱凸塊上形成復數個切口,其中,當該導柱凸塊受到側向力時,該些復數個切口應用于調整該導柱凸塊的可撓性。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,形成該些復數個切口的步驟包含沿該導柱凸塊的一側以實質上垂直對準的方式配置該些復數個切口中的每一者。
3.根據權利要求1所述的方法,其中,形成該些復數個切口的步驟包含沿該導柱凸塊上的方向實質上遠離該半導體芯片中心的一側配置該些復數個切口中的每一者。
4.根據權利要求1所述的方法,其中,形成該些復數個切口的步驟包含形成至少三個切口。
5.根據權利要求1所述的方法,其中,形成該些復數個切口的步驟包含形成不對稱形狀的切口。
6.根據權利要求1所述的方法,其中,形成該些復數個切口的步驟包含以具有圓角型尖端的工具形成該些復數個切口中的至少一者。
7.根據權利要求1所述的方法,其中,形成該些復數個切口的步驟包含以具有第一工具形狀的第一工具形成該些復數個切口中的至少一者,從而形成具有第一切口形狀的該些復數個切口中的該至少一者,以及使用具有第二工具形狀的第二工具將該些復數個切口中的該至少一者的形狀從該第一切口形狀調整為第二切口形狀。
8.根據權利要求7所述的方法,其中,以該第一工具形成該些復數個切口中的該至少一者的步驟包含以具有該第一工具形狀的測試探針在該導柱凸塊上執(zhí)行側向力測試。
9.根據權利要求1所述的方法,其中,形成該些復數個切口的步驟包含沿該導柱凸塊的第一側形成至少二個第一切口,并在該導柱凸塊的第二側形成至少一個第二切口,該第二側系位于該導柱凸塊的該第一側的相對側。
10.根據權利要求9所述的方法,還包括將該至少二個第一切口中的每一者配置在該導柱凸塊上,使該第一側朝向于實質上遠離該半導體芯片的中心的方向,并將該至少一個第二切口配置在該導柱凸塊上,使該第二側位于實質上朝向該半導體芯片的中心的方向。
11.根據權利要求1所述的方法,還包括當形成該些復數個切口時,以導柱凸塊支撐裝置支撐該導柱凸塊。
12.根據權利要求11所述的方法,其中,以該導柱凸塊支撐裝置支撐該導柱凸塊的步驟包含當在該導柱凸塊的第二側形成該些復數個切口之一者時,將該導柱凸塊支撐裝置配置成與該導柱凸塊的第一側接觸,該導柱凸塊支撐裝置適用于抵抗從藉由使用形成該些復數個切口之一者的工具而施加在該導柱凸塊上的力。
13.一種方法,包括:
將導柱凸塊支撐裝置配置成與形成在半導體芯片的金屬化系統(tǒng)上方的導柱凸塊的第一側接觸;
將導柱凸塊修復裝置配制成鄰接于該導柱凸塊的第二側;
以該導柱凸塊修復裝置在該導柱凸塊第二側上形成第一切口,其中,形成該第一切口的步驟包含以該導柱凸塊修復裝置在該第二側上施加外力;以及
當形成該第一切口時,以該導柱凸塊支撐裝置支撐該導柱凸塊,其中,支撐該導柱凸塊的步驟包含以該導柱凸塊支撐裝置抵抗由該導柱凸塊修復裝置所驅動而施加在該導柱凸塊第二側上的外力。
14.根據權利要求13所述的方法,其中,將該導柱凸塊修復裝置配制成鄰接于該第二側的步驟包含將該導柱凸塊修復裝置配置在鄰接于該導柱凸塊第一側的相對側。
15.根據權利要求13所述的方法,其中,在該導柱凸塊第二側上形成該第一切口的步驟包含在該實質上朝向遠離該半導體芯片中心的導柱凸塊上的一側形成該第一切口。
16.根據權利要求13所述的方法,還包括當以該導柱凸塊支撐裝置支撐該導柱凸塊時,以該導柱凸塊修復裝置在該導柱凸塊第二側上形成至少一個第二切口,其中,該至少一個第二切口實質垂直地對準該第一切口。
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
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H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





