[發(fā)明專利]非穿通型絕緣柵雙極晶體管的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310321483.0 | 申請日： | 2013-07-26 |
| 公開（公告）號： | CN104347400A | 公開（公告）日： | 2015-02-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王根毅;鄧小社;鐘圣榮;周東飛 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/331 | 分類號： | H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人： | 鄧云鵬 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 非穿通型 絕緣 雙極晶體管 制造 方法 | ||
1.一種非穿通型絕緣柵雙極晶體管的制造方法，包括如下步驟：
在硅片正面形成絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)至積淀完層間介質(zhì)；
在所述層間介質(zhì)上覆蓋保護膜；
自所述硅片背面開始將所述硅片進行減薄處理，并在減薄后的硅片背面形成P型層；
去掉所述保護膜，并對所述硅片進行退火處理；其中退火溫度大于500攝氏度；
在所述P型層和層間介質(zhì)表面形成金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非穿通型絕緣柵雙極晶體管的制造方法，其特征在于，所述保護膜是藍(lán)膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非穿通型絕緣柵雙極晶體管的制造方法，其特征在于，所述P型層采用離子注入方式形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的非穿通型絕緣柵雙極晶體管的制造方法，其特征在于，注入離子為硼。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的非穿通型絕緣柵雙極晶體管的制造方法，其特征在于，所述離子注入采用正面注入機臺處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非穿通型絕緣柵雙極晶體管的制造方法，其特征在于，所述退火溫度大于800攝氏度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非穿通型絕緣柵雙極晶體管的制造方法，其特征在于，所述減薄處理將硅片減薄至300～500微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非穿通型絕緣柵雙極晶體管的制造方法，其特征在于，所述減薄處理采用化學(xué)機械研磨。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
