[發明專利]太陽能電池的制作方法

有效

• 申請號: 201310321285.4
• 申請日: 2013-07-29
• 公開（公告）號: CN104347751A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發明（設計）人: 王懿喆;金光耀;洪俊華
• 申請（專利權）人: 上海凱世通半導體有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 上海弼興律師事務所 31283
• 代理人: 朱水平;呂一旻

1.一種太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S₁、在一襯底的背面中形成一第一導電類型摻雜層；

步驟S₂、在該第一導電類型摻雜層上形成一掩膜，未被該掩膜覆蓋的區域為開放區域，刻蝕該開放區域的該第一導電類型摻雜層直至暴露出該襯底由此在該襯底的背面中形成凹槽和第一導電類型摻雜區域，該第一導電類型摻雜區域為未經刻蝕的該第一導電類型摻雜層；

步驟S₃、通過離子注入的方式將第二導電類型離子注入至該凹槽中以形成第二導電類型摻雜區域，并且去除該掩膜；

步驟S₄、對該襯底進行退火處理以在該第一導電類型區域、該第二導電類型摻雜區域和該凹槽的側壁上形成一第一鈍化層，并在該第一鈍化層上形成一第二鈍化層；

步驟S₅、對由該第一鈍化層和該第二鈍化層形成的疊層施以帶狀圖形刻蝕以去除部分該疊層直至暴露出該第一導電類型摻雜區域和該第二導電類型摻雜區域，所去除的部分疊層為與該帶狀圖形相對應的疊層，該帶狀圖形的長度方向不與該凹槽的長度方向平行；

步驟S₆、在該襯底的背面上形成一第一金屬層；

步驟S₇、對該第一金屬層進行化學刻蝕以去除該凹槽的側壁上的該第一金屬層以在該第一導電類型區域上形成第一電極，在該第二導電類型摻雜區域上形成第二電極。

2.如權利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，該帶狀圖形的長度方向基本上與該凹槽的長度方向垂直。

3.如權利要求2所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，該帶狀圖形選自以下形狀：長條狀和排列成一列的多個孔，其中，該多個孔的排列方向基本上與該凹槽的長度方向垂直。

4.如權利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，步驟S₄中通過在退火的同時通入氧氣以形成氧化硅薄膜作為該第一鈍化層；和/或，

該第一鈍化層的厚度為10-100nm；和/或，

步驟S₄中通過PECVD或APCVD或濺射形成該第二鈍化層；和/或，

該第二鈍化層為氧化硅、氮化硅薄膜或氮氧化硅；和/或，

該第二鈍化層的厚度為30-200nm。

5.如權利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，步驟S₆中還包括：在該第一金屬層上形成一第二金屬層；

步驟S₇中還包括：對該第一金屬層和該第二金屬層進行化學刻蝕以去除該凹槽的側壁上的該第一金屬層和該第二金屬層以在該第一導電類型區域上形成第一電極，在該第二導電類型摻雜區域上形成第二電極。

6.如權利要求5所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，該第一金屬層的材料為鋁，或者，

該第二金屬層的材料為鈦，和/或，該第二金屬層的厚度為小于

7.如權利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，步驟S₄之前還包括：在該襯底的正面中形成一第一導電類型摻雜層或者一第二導電類型摻雜層；

步驟S₄中還包括：通過在退火的同時通入氧氣以在該襯底的正面的該第一導電類型摻雜層或者該第二導電類型摻雜層上形成一氧化硅薄膜，并且在該氧化硅薄膜上形成一減反射膜。

8.如權利要求7所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，步驟S₄中形成的該減反射膜是一氮化硅層。

9.如權利要求8所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，該氮化硅層通過PECVD方法形成，和/或，該氮化硅層的厚度為30-200nm。

10.如權利要求1-9中任意一項所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，步驟S₂中通過化學刻蝕或者物理刻蝕形成該凹槽。

11.如權利要求10所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，該化學刻蝕采用氫氟酸、醋酸、硝酸和水的混合物，或者堿溶液實現，或者，該物理刻蝕為等離子刻蝕或激光消融刻蝕。