[發明專利]用于RFID標簽的數據存留控制裝置無效
| 申請號: | 201310321024.2 | 申請日: | 2013-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN103577865A | 公開(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發明(設計)人: | 鄭喆鎬 | 申請(專利權)人: | LS產電株式會社 |
| 主分類號: | G06K19/07 | 分類號: | G06K19/07 |
| 代理公司: | 北京金信立方知識產權代理有限公司 11225 | 代理人: | 黃威;王濤 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 rfid 標簽 數據 存留 控制 裝置 | ||
1.一種用于射頻識別標簽的數據存留控制裝置,其特征在于所述數據存留控制裝置包括:
待充電的電容器;
對所述電容器進行充電的充電電路;
對所述電容器進行放電的放電電路;
開關,當所述開關為導通狀態時所述開關將所述充電電路電連接至所述電容器或者將所述放電電路電連接至所述電容器;以及
輸出電路,其根據基于所述電容器的放電程度而確定的輸入電壓來輸出邏輯高信號或邏輯低信號。
2.根據權利要求1所述的數據存留控制裝置,其中所述輸出電路被配置為當響應于所述電容器的放電而確定的輸入電壓低于閾值電壓時輸出所述邏輯高信號。
3.根據權利要求1所述的數據存留控制裝置,其中所述輸出電路被配置為當響應于所述電容器的充電而確定的輸入電壓高于閾值電壓時輸出所述邏輯低信號。
4.根據權利要求2或3所述的數據存留控制裝置,其中所述閾值電壓為220mV,并且
其中所述輸出電路被配置為基于所述閾值電壓來確定所述邏輯高信號的持續時間。
5.根據權利要求1所述的數據存留控制裝置,其中所述輸出電路包括多個NMOS晶體管和多個PMOS晶體管。
6.根據權利要求1所述的數據存留控制裝置,其中,當對所述電容器進行充電時所述開關使得所述充電電路和所述電容器彼此電連接,并且
當對所述電容器進行放電時所述開關使得所述放電電路和所述電容器彼此電連接。
7.根據權利要求6所述的數據存留控制裝置,其中,所述開關被配置為NMOS晶體管。
8.根據權利要求1所述的數據存留控制裝置,進一步包括控制電路,通過接收輸入信號和使能信號來控制所述充電電路、所述放電電路以及所述開關的操作。
9.根據權利要求8所述的數據存留控制裝置,其中,所述控制電路被配置為當所述使能信號為邏輯高信號且所述輸入信號是邏輯高信號時控制所述充電電路和所述開關開啟。
10.根據權利要求8所述的數據存留控制裝置,其中,所述控制電路被配置為當所述使能信號為邏輯高信號且所述輸入信號是邏輯低信號時控制所述放電電路和所述開關開啟。
11.根據權利要求8所述的數據存留控制裝置,其中所述控制電路包括:
第一非門,其連接至所述輸入信號的輸入端子;
緩沖器,其連接至所述使能信號的輸入端子;
第一與非門,其具有連接至所述第一非門的輸出端子的第一輸入端子和連接至所述緩沖器的輸出端子的第二輸入端子;
第二與非門,其具有連接至所述緩沖器的輸出端子的第一輸入端子和連接至所述輸入信號的輸入端子的第二輸入端子,所述第二與非門具有連接至所述充電電路的輸出端子;以及
第二非門,其具有連接至所述第一與非門的所述輸出端子的輸入端子和連接至所述放電電路的輸出端子。
12.根據權利要求1所述的數據存留控制裝置,其中,所述充電電路由PMOS晶體管進行配置,并且
其中所述放電電路由NMOS晶體管進行配置。
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