[發明專利]透明導電層、具有該透明導電層的CF基板及其制備方法

有效

• 申請號: 201310320798.3
• 申請日: 2013-07-26
• 公開（公告）號: CN103365004A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 李冠政;王燁文
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1333;C23C16/26
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種透明導電層，其特征在于，由石墨烯透明導電材料制成，呈薄膜狀，其厚度為0.36nm-10nm，可見光區穿透率為80-97%，面電阻為30-500Ω/□。

2.一種CF基板，其特征在于，包括：CF基板本體（40）、及形成于CF基板本體（40）上的透明導電層（20），所述透明導電層（20）由石墨烯透明導電材料制成，呈薄膜狀，其厚度為0.36nm-10nm，可見光區穿透率為80-97%，面電阻為30-500Ω/□。

3.如權利要求2所述的CF基板，其特征在于，所述CF基板本體（40）包括玻璃基板（42）及形成于玻璃基板（42）上的色阻層（44），該色阻層（44）包括陣列排布的數個像素單元及位于該些像素單元外圍的黑色矩陣。

4.如權利要求3所述的CF基板，其特征在于，所述透明導電層（20）位于所述色阻層（44）上。

5.如權利要求3所述的CF基板，其特征在于，所述透明導電層（20）與色阻層（44）分別位于玻璃基板（42）的兩側。

6.一種CF基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟11、將生長基板置于化學氣相沉積法反應器內，通入碳源氣體和載氣氣體的混合氣體，在900-1120℃、40Pa-5000KPa的條件下反應1-60min，在生長基板上形成石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜厚度為0.36nm-10nm，可見光區穿透率為80-97%，面電阻為30-500Ω/□；

步驟12、在石墨烯薄膜上涂布轉移介質層，得到轉移介質層/石墨烯薄膜/生長基板結合體；

步驟13、將所述轉移介質層/石墨烯薄膜/生長基板結合體浸漬于生長基板腐蝕液中，除去生長基板，得到轉移介質層/石墨烯薄膜結合體；

步驟14、提供CF基板本體（40），所述CF基板本體（40）包括玻璃基板（42）及形成于玻璃基板（42）上的色阻層（44）；

步驟15、將所述轉移介質層/石墨烯薄膜結合體置于CF基板本體（40）上，在室溫下轉印，得到轉移介質層/石墨烯薄膜/CF基板本體結合體；

步驟16、將所述轉移介質層/石墨烯薄膜/CF基板本體結合體放入轉移介質層去除溶劑中清洗，除去轉移介質層，在CF基板本體（40）上形成石墨烯薄膜，即在CF基板本體（40）上形成透明導電層。

7.如權利要求6所述的CF基板的制備方法，其特征在于，所述步驟15中，所述轉移介質層/石墨烯薄膜結合體置于CF基板本體（40）的色阻層（44）上；所述步驟16中，透明導電層（20）形成于所述CF基板本體（40）的色阻層（44）上。

8.如權利要求6所述的CF基板的制備方法，其特征在于，所述步驟15中，所述轉移介質層/石墨烯薄膜結合體置于CF基板本體（40）的玻璃基板（42）上；所述步驟16中，透明導電層（20）形成于所述CF基板本體（40）的玻璃基板（42）上。

9.如權利要求6所述的CF基板的制備方法，其特征在于，所述碳源氣體為甲烷、乙烯、或乙炔；所述載氣氣體為氫氣或氫氣與氬氣的混合氣體；所述生長基板為Ni、Cu或Ru制備的金屬箔；所述生長基板腐蝕液為FeCl₃溶液或酸溶液；所述轉移介質層為聚甲基丙烯酸甲酯或聚二甲基丙烯酰胺。

10.如權利要求9所述的CF基板的制備方法，其特征在于，所述碳源氣體為甲烷；所述載氣氣體為氫氣；所述生長基板為Cu箔，所述銅箔的純度≥99%；所述轉移介質層為聚甲基丙烯酸甲酯；所述生長基板腐蝕液為0.1-1.5mol/LFeCl₃溶液；所述轉移介質層去除溶劑為丙酮酒精溶液。