[發明專利]電子部件的制造方法和電子部件的制造裝置無效
| 申請號: | 201310320655.2 | 申請日: | 2013-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN103578956A | 公開(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發明(設計)人: | 佐佐木理順;堀田哲廣;津吉淳弘 | 申請(專利權)人: | TDK株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/28 | 分類號: | H01L21/28;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 楊琦 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子 部件 制造 方法 裝置 | ||
1.一種電子部件的制造方法,其特征在于,
包含:
第1工序,在貯存有液狀的聚亞烷基二醇·油的槽內,以不超過所述聚亞烷基二醇·油的液面的方式噴出熔融狀態的五元系焊料;
第2工序,將在表面配置有至少銅露出于外部的基底電極的電子部件的前驅體放入到所述聚亞烷基二醇·油的液內;以及
第3工序,在所述前驅體位于所述聚亞烷基二醇·油的液內的狀態下使所述五元系焊料接觸于所述基底電極,并在所述基底電極上形成焊料層。
2.如權利要求1所述的電子部件的制造方法,其特征在于,
所述前驅體呈晶片形狀,
在所述前驅體的一個面上配置有多個所述基底電極。
3.如權利要求1或者2所述的電子部件的制造方法,其特征在于,
所述五元系焊料包含Ni作為主成分之一。
4.如權利要求1~3中的任一項所述的電子部件的制造方法,其特征在于,
所噴出的所述五元系焊料的溫度為240℃以上。
5.如權利要求1~4中的任一項所述的電子部件的制造方法,其特征在于,
所述聚亞烷基二醇·油的燃點為所噴出的所述五元系焊料的溫度以上。
6.如權利要求1~5中的任一項所述的電子部件的制造方法,其特征在于,
在所述第2工序中,將被預熱的所述前驅體放入到所述聚亞烷基二醇·油的液內。
7.如權利要求6所述的電子部件的制造方法,其特征在于,
在所述第2工序之前,還包含:
對所述基底電極進行酸洗凈的第4工序;以及
在所述基底電極上涂布焊劑并干燥的第5工序。
8.一種電子部件的制造裝置,其特征在于,
具備:
槽,貯存液狀的聚亞烷基二醇·油;
噴流噴嘴,將熔融狀態的五元系焊料噴出至所述槽內;
供給機構,將熔融狀態的五元系焊料供給至所述噴流噴嘴;以及
控制部,控制所述供給機構的動作,
所述控制部控制所述供給機構,在表面配置有至少銅露出于外部的基底電極的電子部件的前驅體位于貯存于所述槽內的聚亞烷基二醇·油的液內的狀態下,以不超過貯存于所述槽內的聚亞烷基二醇·油的液面的方式,從所述噴流噴嘴向所述基底電極噴出五元系焊料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





