[發明專利]一種鈮酸鋰光波導器件電極的制作方法有效
| 申請號： | 201310320197.2 | 申請日： | 2013-07-26 |
| 公開（公告）號： | CN103353630A | 公開（公告）日： | 2013-10-16 |
| 發明（設計）人： | 王定理;傅力;李林松;張登巍;呂軍 | 申請（專利權）人： | 武漢光迅科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G02B6/13 | 分類號： | G02B6/13;G02B6/136;G02B6/122;G02F1/035;G03F7/20 |
| 代理公司： | 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 許蓮英 |
| 地址： | 430205 湖北省*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鈮酸鋰光 波導 器件 電極 制作方法 | ||
1.一種鈮酸鋰光波導器件電極的制作方法，包括下列步驟：
步驟1：在鈮酸鋰基片上，以SiO2作為掩模制作光波導，形成鈮酸鋰芯片；
步驟2：以光波導表面兩側的SiO2掩模作為套刻標記進行電極圖形套刻；
步驟3：去除位于電極區的SiO2掩模;
步驟4：在鈮酸鋰芯片暴露表面上鍍制金屬薄膜；
步驟5：將鍍制好金屬薄膜的鈮酸鋰芯片浸入剝離液中，去除鈮酸鋰基片表面上的光刻膠以及光刻膠表面覆蓋的金屬薄膜，清潔鈮酸鋰芯片表面；
步驟6：采用腐蝕液去除鈮酸鋰芯片表面剩余的SiO2掩模，完成電極制作。
2.如權利要求1所述的一種鈮酸鋰光波導器件電極的制作方法，其特征在于：所述步驟3具體過程為：首先利用感應耦合等離子體刻蝕對位于電極區的SiO2掩模進行干法刻蝕大部分厚度，然后用腐蝕液對剩余的SiO2掩模進行濕法腐蝕直至完全去除。
3.如權利要求1所述的一種鈮酸鋰光波導器件電極的制作方法，其特征在于：所述步驟1制作過程為：在鈮酸鋰基片表面生長一層厚度為200nm的SiO2薄膜，光刻出對應光波導的SiO2掩模，通過質子交換以及氣氛退火技術在鈮酸鋰基片上形成光波導。
4.如權利要求1所述的一種鈮酸鋰光波導器件電極的制作方法，其特征在于：所述步驟3中的金屬薄膜鍍制采用濺射或者電子束蒸發的方法。
5.如權利要求4所述的一種鈮酸鋰光波導器件電極的制作方法，其特征在于：所述金屬薄膜采用?Cr或Ni或Al單層金屬膜。
6.如權利要求4所述的一種鈮酸鋰光波導器件電極的制作方法，其特征在于：所述金屬薄膜是Ni/Au或Ti/Pt/Au組成多層金屬膜。
7.如權利要求1所述的一種鈮酸鋰光波導器件電極的制作方法，其特征在于：所述步驟3和步驟6中去除鈮酸鋰芯片表面剩余的SiO2掩模腐蝕液是由氫氟酸和四氟化銨配置成的緩沖刻蝕液。
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