[發(fā)明專利]實(shí)現(xiàn)多晶硅鑄錠無(wú)黑邊的坩堝及其制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310318044.4 | 申請(qǐng)日: | 2013-07-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103382572A | 公開(公告)日: | 2013-11-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 譚毅;熊華江;劉東雷;王永國(guó);劉燕;黃佳琪;黃凱;李左;李鵬廷;王峰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 青島隆盛晶硅科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C30B28/06 | 分類號(hào): | C30B28/06;C30B29/06;B32B18/00 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 266234 山東省*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 實(shí)現(xiàn) 多晶 鑄錠 無(wú)黑邊 坩堝 及其 制備 方法 | ||
1.一種實(shí)現(xiàn)多晶硅鑄錠無(wú)黑邊的坩堝,包括氮化硅坩堝,其特征在于氮化硅坩堝內(nèi)壁依次噴涂有氮化硅涂層和硅粉涂層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)多晶硅鑄錠無(wú)黑邊的坩堝,其特征在于氮化硅涂層的厚度為0.5~2mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)多晶硅鑄錠無(wú)黑邊的坩堝,其特征在于硅粉涂層的厚度為0.5~2mm。
4.一種權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)多晶硅鑄錠無(wú)黑邊的坩堝制備方法,其特征在于包括以下步驟:
(1)氮化硅涂層的配料:將氮化硅粉體、蒸餾水和硅溶膠混合攪拌1~2h,得到氮化硅涂層用的懸濁液,靜置待用;
(2)氮化硅涂層的噴涂:用噴槍將步驟(1)得到的懸濁液均勻的噴涂到氮化硅坩堝的內(nèi)表面,直至外觀上無(wú)明顯露點(diǎn)且厚度均勻?yàn)橹梗?/p>
(3)氮化硅涂層的燒結(jié)處理:將經(jīng)過(guò)噴涂氮化硅涂層后的氮化硅坩堝置于真空熔煉爐中,加熱升溫至1050~1100℃,保溫1~2h后出爐冷卻至室溫,從而形成致密的氮化硅涂層;
(4)硅粉涂層的配料:將硅粉與酒精混合攪拌1~2h,得到硅粉涂層用的懸濁液,靜置待用;
(5)硅粉涂層的噴涂:用噴槍將步驟(4)得到的懸濁液均勻的噴涂到經(jīng)步驟(3)處理得到的氮化硅坩堝的內(nèi)表面,直至外觀上無(wú)明顯露點(diǎn)且厚度均勻?yàn)橹梗?/p>
(6)硅粉涂層的風(fēng)干:將經(jīng)過(guò)噴涂硅粉涂層后的氮化硅坩堝在自然條件下風(fēng)干12~15h,從而得到實(shí)現(xiàn)多晶硅鑄錠無(wú)黑邊的鑄錠用坩堝。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的實(shí)現(xiàn)多晶硅鑄錠無(wú)黑邊的坩堝制備方法,其特征在于步驟(1)中氮化硅粉體中的有效氮化硅質(zhì)量分?jǐn)?shù)為99.99%以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的實(shí)現(xiàn)多晶硅鑄錠無(wú)黑邊的坩堝制備方法,其特征在于步驟(1)中氮化硅粉體的粒度為0.05~3μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的實(shí)現(xiàn)多晶硅鑄錠無(wú)黑邊的坩堝制備方法,其特征在于步驟(1)中氮化硅粉體、蒸餾水和硅溶膠三者的質(zhì)量比為4~5:10~15:2。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的實(shí)現(xiàn)多晶硅鑄錠無(wú)黑邊的坩堝制備方法,其特征在于步驟(4)中硅粉的純度為9N以上。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的實(shí)現(xiàn)多晶硅鑄錠無(wú)黑邊的坩堝制備方法,其特征在于步驟(4)中硅粉的粒度為0.05~3μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的實(shí)現(xiàn)多晶硅鑄錠無(wú)黑邊的坩堝制備方法,其特征在于步驟(4)中硅粉與酒精的比例為0.2~0.25kg:500~1000ml。
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