[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201310317861.8
• 申請日: 2010-07-14
• 公開（公告）號: CN103489871A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 山崎舜平;大原宏樹;佐佐木俊成;野田耕生;桑原秀明
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張鑫

1.一種半導體裝置，包括：

絕緣表面上的柵電極層；

所述柵電極層上的柵極絕緣層；

所述柵極絕緣層上的含銦的氧化物半導體層，該氧化物半導體層包括隔著所述柵極絕緣層與所述柵電極層重疊的溝道形成區；

所述氧化物半導體層上的氧化物絕緣層，該氧化物絕緣層具有第一接觸孔和第二接觸孔，其中所述氧化物絕緣層覆蓋所述氧化物半導體層的邊緣；

所述氧化物絕緣層上的源電極層，該源電極層通過所述氧化物絕緣層的所述第一接觸孔與所述氧化物半導體層電接觸；

所述氧化物絕緣層上的漏電極層，該漏電極層通過所述氧化物絕緣層的所述第二接觸孔與所述氧化物半導體層電接觸；

所述源電極層和所述漏電極層上的無機絕緣膜；以及

所述無機絕緣膜上的像素電極層，該像素電極層與所述源電極層和所述漏電極層中的一方電接觸，

其中，所述源電極層隔著所述氧化物絕緣層與所述氧化物半導體層的第一端重疊，

其中，所述漏電極層隔著所述氧化物絕緣層與所述氧化物半導體層的第二端重疊。

2.一種半導體裝置，包括：

絕緣表面上的柵電極層；

所述柵電極層上的柵極絕緣層；

所述柵極絕緣層上的含銦的氧化物半導體層，該氧化物半導體層包括隔著所述柵極絕緣層與所述柵電極層重疊的溝道形成區；

所述氧化物半導體層上的氧化物絕緣層，該氧化物絕緣層具有第一接觸孔和第二接觸孔，其中所述氧化物絕緣層覆蓋所述氧化物半導體層的邊緣；

所述氧化物絕緣層上的源電極層，該源電極層通過所述氧化物絕緣層的所述第一接觸孔與所述氧化物半導體層電接觸；

所述氧化物絕緣層上的漏電極層，該漏電極層通過所述氧化物絕緣層的所述第二接觸孔與所述氧化物半導體層電接觸；

所述源電極層和所述漏電極層上的無機絕緣膜；

所述無機絕緣膜上的含樹脂的絕緣層；以及

所述絕緣層上的像素電極層，該像素電極層與所述源電極層和所述漏電極層中的一方電接觸，

其中，所述源電極層隔著所述氧化物絕緣層與所述氧化物半導體層的第一端重疊，

其中，所述漏電極層隔著所述氧化物絕緣層與所述氧化物半導體層的第二端重疊。

3.一種半導體裝置，包括：

絕緣表面上的柵極布線層；

所述柵極布線層上的柵極絕緣層；

所述柵極絕緣層上的含銦的氧化物半導體層，該氧化物半導體層包括隔著所述柵極絕緣層與所述柵極布線層重疊的溝道形成區；

所述氧化物半導體層上的氧化物絕緣層，該氧化物絕緣層具有第一接觸孔和第二接觸孔，其中所述氧化物絕緣層覆蓋所述氧化物半導體層的邊緣；

所述氧化物絕緣層上的源電極層，該源電極層通過所述氧化物絕緣層的所述第一接觸孔與所述氧化物半導體層電接觸；

所述氧化物絕緣層上的漏電極層，該漏電極層通過所述氧化物絕緣層的所述第二接觸孔與所述氧化物半導體層電接觸；

所述源電極層和所述漏電極層上的無機絕緣膜；

所述無機絕緣膜上的含樹脂的絕緣層；以及

所述絕緣層上的像素電極層，該像素電極層與所述源電極層和所述漏電極層中的一方電接觸，

其中，所述源電極層隔著所述氧化物絕緣層與所述氧化物半導體層的第一端重疊，

其中，所述漏電極層隔著所述氧化物絕緣層與所述氧化物半導體層的第二端重疊，

其中，整個所述氧化物半導體層與所述柵極布線層重疊。