[發明專利]MIM電容器的形成方法在審
| 申請號： | 201310317731.4 | 申請日： | 2013-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN103390542A | 公開（公告）日： | 2013-11-13 |
| 發明（設計）人： | 趙波 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 張亞利;駱蘇華 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mim 電容器 形成 方法 | ||
1.一種MIM電容器的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在100-200℃溫度范圍內，去除所述基底表面的水汽；
去除所述水汽后，在所述基底上形成AlCu層；
在所述AlCu層上形成介質層；
在所述介質層上形成金屬層。
2.如權利要求1所述的MIM電容器的形成方法，其特征在于，所述AlCu層與所述介質層之間還形成有氮化鈦層。
3.如權利要求1所述的MIM電容器的形成方法，其特征在于，所述AlCu層的厚度大于或者等于1μm。
4.如權利要求1或2所述的MIM電容器的形成方法，其特征在于，所述介質層為氮化硅層或氮化硼層。
5.如權利要求1所述的MIM電容器的形成方法，其特征在于，所述金屬層為氮化鈦層。
6.一種MIM電容器的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；
去除所述基底表面的水汽；
去除所述水汽后，冷卻所述基底至200℃以下；
冷卻所述基底后，在所述基底上形成AlCu層；
在所述AlCu層上形成介質層；
在所述介質層上形成金屬層。
7.如權利要求6所述的MIM電容器的形成方法，其特征在于，所述AlCu層與所述介質層之間還形成有氮化鈦層。
8.如權利要求6所述的MIM電容器的形成方法，其特征在于，所述AlCu層的厚度大于或者等于1μm。
9.如權利要求6或7所述的MIM電容器的形成方法，其特征在于，所述介質層為氮化硅層或氮化硼層。
10.如權利要求6所述的MIM電容器的形成方法，其特征在于，冷卻所述基底至200℃以下包括：冷卻所述基底至100℃以下。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
