[發明專利]氫等離子體電弧熔煉技術制備高純稀土釓單質有效
| 申請號： | 201310317555.4 | 申請日： | 2013-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN103409650A | 公開（公告）日： | 2013-11-27 |
| 發明（設計）人： | 李國玲;李里;李星國;田豐 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | C22B59/00 | 分類號： | C22B59/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知識產權代理事務所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 周政 |
| 地址： | 100871 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 等離子體 電弧 熔煉 技術 制備 高純 稀土 單質 | ||
1.氫等離子體電弧熔煉技術制備高純稀土釓單質的方法，包括如下步驟：
(1)將釓、鈦放置于高真空電弧熔煉爐中，抽真空；
(2)向真空腔室中充入高純氬氣，首先熔煉鈦金屬，然后慢慢融化釓原料；
(3)置換氬氣氛圍，向腔室中通入氫氣和氬氣的混合氣體，緩慢移動電極至樣品上方，多次翻轉樣品，均勻熔煉；
(4)再次置換爐內氣氛，充入高純氬氣，翻轉樣品，至熔煉均勻，得到高純稀土釓單質。
2.如權利要求1所述的制備高純稀土釓單質的方法，其特征在于，步驟（1）中，所述釓和鈦的純度均高于99.7%。
3.如權利要求1所述的制備高純稀土釓單質的方法，其特征在于，步驟（1）中，真空度高于10-5托。
4.如權利要求1所述的制備高純稀土釓單質的方法，其特征在于，步驟（2）和（4）中，所述高純氬氣的純度高于99.999%。
5.如權利要求1所述的制備高純稀土釓單質的方法，其特征在于，步驟（2）和（4）中，氬氣作為唯一等離子體源產生等離子體。
6.如權利要求1所述的制備高純稀土釓單質的方法，其特征在于，步驟（3）中，氫氣的純度高于99.999%。
7.如權利要求1所述的制備高純稀土釓單質的方法，其特征在于，步驟（3）中，氫氣和氬氣的體積比不大于10%。
8.如權利要求1所述的制備高純稀土釓單質的方法，其特征在于，步驟（3）中，氬氣和氫氣同時作為等離子體源。
9.如權利要求1所述的制備高純稀土釓單質的方法，其特征在于，步驟（3）中，所述電極在樣品上方2-4mm。
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