[發(fā)明專利]磁敏線、磁阻抗元件及磁阻抗傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310317044.2 | 申請日： | 2009-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN103454601A | 公開（公告）日： | 2013-12-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 本藏義信;山本道治;濱田典彥;下出晃宏 | 申請（專利權(quán)）人： | 愛知制鋼株式會社 |
| 主分類號： | G01R33/09 | 分類號： | G01R33/09;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 金龍河;穆德駿 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 磁敏線 磁阻 元件 傳感器 | ||
1.一種磁敏線，由零磁致伸縮的Co-Fe-Si-B類軟磁性合金的非晶絲構(gòu)成，其特征在于，
通過在對所述非晶絲施加30～2000MPa的張力的同時實施在未完全結(jié)晶化的溫度內(nèi)對所述非晶絲進行加熱的熱處理而得到，
所述磁敏線的直徑為0.5～15μm。
2.如權(quán)利要求1所述的磁敏線，其中，所述Co-Fe-Si-B類軟磁性合金，整體采用100原子%時，Co：60～80原子%、Fe：3～7原子%、Si：5～20原子%及B：7～30原子%。
3.如權(quán)利要求1所述的磁敏線，其中，所述熱處理的溫度為300～650℃。
4.如權(quán)利要求1所述的磁敏線，其中，所述熱處理在非活性氣體氛圍或真空中進行。
5.如權(quán)利要求1所述的磁敏線，其磁滯特性為7A/m以下、直線性為2%F.S.以下。
6.一種磁阻抗元件，其特征在于，以權(quán)利要求1所述的磁敏線作為磁檢測體。
7.一種磁阻抗傳感器，其特征在于，具備權(quán)利要求6所述的磁阻抗元件。
8.一種磁敏線的制造方法，其特征在于，對由Co-Fe-Si-B類軟磁性合金構(gòu)成的非晶絲，在施加30～2000MPa的張力的同時實施在未完全結(jié)晶化的溫度內(nèi)進行加熱的熱處理。
9.如權(quán)利要求8所述的磁敏線的制造方法，其中，所述Co-Fe-Si-B類軟磁性合金，整體采用100原子%時，Co：60～80原子%、Fe：3～7原子%、Si：5～20原子%及B：7～30原子%。
10.如權(quán)利要求8所述的磁敏線的制造方法，其中，所述熱處理的溫度為300～650℃。
11.如權(quán)利要求8所述的磁敏線的制造方法，其中，所述熱處理在非活性氣體氛圍或真空中進行。
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