[發(fā)明專利]發(fā)光裝置和電子設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310316715.3
• 申請日: 2013-07-25
• 公開（公告）號: CN103579290A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 巖崎正憲;藤田伸
• 申請（專利權(quán)）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;李洋

1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，具有：

基板；

第一發(fā)光元件，其被配置在所述基板的第一面上，并具有第一像素電極、對置電極、以及在所述第一像素電極與所述對置電極之間包含發(fā)光層的功能層，該第一發(fā)光元件應(yīng)釋放出第一光；

第二發(fā)光元件，其被配置在所述第一面上，并具有第二像素電極、對置電極、以及在所述第二像素電極與所述對置電極之間包含發(fā)光層的功能層，該第二發(fā)光元件應(yīng)釋放出第二光；以及

絕緣層，其經(jīng)由所述第一像素電極和所述第二像素電極而配置在所述第一面與所述功能層之間，并設(shè)置有使所述第一像素電極露出的第一開口、和使所述第二像素電極露出的第二開口，

所述第一開口通過所述絕緣層覆蓋所述第一像素電極的周邊部中50％以上而構(gòu)成，

所述第二開口通過所述絕緣層覆蓋所述第二像素電極的周邊部中小于50％而構(gòu)成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述第一像素電極和所述第二像素電極為平面形狀，該平面形狀在第二方向上的長度比第一方向上的長度短，所述第二方向與所述第一方向交叉，

所述第一開口通過所述絕緣層覆蓋所述第一像素電極的周邊部中至少沿著所述第一方向的端部而構(gòu)成，

所述第二開口通過所述絕緣層覆蓋所述第二像素電極的周邊部中沿著所述第二方向的端部的至少一部分而構(gòu)成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，具有：

第一像素電路，其被配置在所述第一面與所述第一像素電極之間，并控制所述第一發(fā)光元件的驅(qū)動；

第一連接部，其將所述第一像素電極和所述第一像素電路連接起來；

第二像素電路，其被配置在所述第一面與所述第二像素電極之間，并控制所述第二發(fā)光元件的驅(qū)動；以及

第二連接部，其將所述第二像素電極和所述第二像素電路連接起來，

所述絕緣層以與所述第一連接部以及所述第二連接部重疊的方式被形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述第一連接部被配置在所述第一像素電極的周邊部中沿著所述第二方向的端部側(cè)，

所述第二連接部被配置在所述第二像素電極的周邊部中沿著所述第二方向的端部側(cè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任意一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述第二像素電極的厚度比所述第一像素電極的厚度薄。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任意一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

具備第三發(fā)光元件，該第三發(fā)光元件被配置在所述第一面上，并具有第三像素電極、對置電極、以及在所述第三像素電極與所述對置電極之間包含發(fā)光層的功能層，所述第三發(fā)光元件應(yīng)釋放出第三光，

所述第二發(fā)光元件和所述第三發(fā)光元件在第二方向上相鄰地被配置，

所述第二開口在與所述第二方向交叉的第一方向上跨越所述第二像素電極和所述第三像素電極，并通過覆蓋所述第二像素電極和第三像素電極的周邊部中小于50％而構(gòu)成。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

具有反射層，該反射層被配置在所述第一面與所述第一像素電極、所述第二像素電極以及所述第三像素電極之間，

所述對置電極是使從所述功能層釋放出的光的一部分透過、一部分反射的半透過反射層，

在所述第一發(fā)光元件、所述第二發(fā)光元件、所述第三發(fā)光元件的每一發(fā)光元件中，在所述反射層與所述半透過反射層之間形成有共振器結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

具有：

第三像素電路，其被配置在所述第一面與所述第三像素電極之間，并控制所述第三發(fā)光元件的驅(qū)動；和

第三連接部，其將所述第三像素電極和所述第三像素電路連接起來，

所述絕緣層與所述第三連接部重疊。

9.根據(jù)權(quán)利要求6～8中任意一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述第三像素電極的厚度比所述第一像素電極的厚度薄。