[發明專利]一種PIN光電探測器芯片

在審

• 申請號: 201310316323.7
• 申請日: 2013-07-25
• 公開（公告）號: CN104347748A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發明（設計）人: 楊彥偉;陸一鋒;梁澤;高國祥
• 申請（專利權）人: 深圳新飛通光電子技術有限公司
• 主分類號: H01L31/105
• 分類號: H01L31/105;H01L31/0352;H01L31/0216
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種光接收應用的PIN光電探測器芯片，包括外延片與其背面形成歐姆接觸的n電極（1），所述的外延片自n型InP半導體襯底（2）上連續生長：一n型InP緩沖層（3）；一i型InGaAs吸收層（4）；一n型InP過渡層（5）；一n型至少三元以上的Ⅲ-Ⅴ族頂層（6），其特征在于，所述n型InP過渡層（5）中心設有一摻雜光敏區（51）和一摻雜保護環（52）；位于所述n型InP過渡層（5）上表面依序設有一鈍化膜層（7）及一增透過渡薄膜層（8）；該增透過渡薄膜層（8）的部分表面設有一p型電極金屬層（9）；另一部分設有一絕緣層（10）；該絕緣層表面設有一金屬遮光層（11）；一增透薄膜層（12）設于所述金屬遮光層（11）、絕緣層（10）和摻雜光敏區（51）上表面。

2.根據權利要求1所述的PIN光電探測器芯片，其持征在于，所述Ⅲ-Ⅴ族頂層（6）為n型InGaAs頂層。

3.根據權利要求1所述的PIN光電探測器芯片，其持征在于，所述Ⅲ-Ⅴ族頂層（6）為n型InGaAsP頂層。

4.根據權利要求2或3所述的PIN光電探測器芯片，其持征在于，所述摻雜光敏區（51）邊界與摻雜保護環（52）邊界相距L1，其取值范圍3μm＜L1＜30μm；所述摻雜保護環（52）寬度L2，其取值范圍2μm＜L2＜20μm。

5.根據權利要求4所述的PIN光電探測器芯片，其持征在于，所述摻雜光敏區（51）和摻雜保護環（52）為Zn摻雜。

6.根據權利要求4所述的PIN光電探測器芯片，其持征在于，所述摻雜光敏區（51）和摻雜保護環（52）為Ge摻雜。

7.根據權利要求4所述的PIN光電探測器芯片，其持征在于，所述摻雜光敏區（51）和摻雜保護環（52）為InAlAs。