[發(fā)明專利]釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜、制備方法及其應(yīng)用

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310316248.4
• 申請日: 2013-07-12
• 公開（公告）號: CN104277840A
• 公開（公告）日: 2015-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周明杰;陳吉星;王平;馮小明
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/74
• 分類號: C09K11/74;H01L33/50
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 生啟;何平

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及發(fā)光材料領(lǐng)域，尤其涉及一種釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜、其制備方法、薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)

薄膜電致發(fā)光顯示器(TFELD)由于其主動發(fā)光、全固體化、耐沖擊、反應(yīng)快、視角大、適用溫度寬、工序簡單等優(yōu)點，已引起了廣泛的關(guān)注，且發(fā)展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，開發(fā)多波段發(fā)光的材料，是該課題的發(fā)展方向。但是，可應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光顯示器的釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜，仍未見報道。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種可應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光器件的釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜、其制備方法、使用該釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜的薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法。

一種釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜，所述釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Me₅(AsO₄)₃Cl：xSm³⁺；

其中，Me₅(AsO₄)₃Cl是基質(zhì)，且x為0.01～0.05，Me為Mg、Ca、Sr或Ba。

在優(yōu)選的實施例中，所述釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜的厚度為60nm～400nm。

一種釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，包括以下步驟：

根據(jù)Me₅(AsO₄)₃Cl：xSm³⁺各元素的化學(xué)計量比稱取MeO，MeCl₂，As₂O₅和Sm₂O₃粉體并混合均勻在900℃～1300℃下燒結(jié)制成靶材，其中，x為0.01～0.05，Me為Mg、Ca、Sr或Ba；

將襯底及所述靶材與所述裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并調(diào)整所述真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；及

調(diào)整工作氣體的流量為10sccm～40sccm，工作氣體的壓強為0.5Pa～5Pa，所述靶材與所述襯底的間距為45mm～95mm，所述襯底的溫度為250℃～750℃，激光的能量為80～300mJ，在所述襯底上磁控濺射得到釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜，所述釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Me₅(AsO₄)₃Cl：xSm³⁺，其中，x為0.01～0.05，Me為Mg、Ca、Sr或Ba。

在優(yōu)選的實施例中，燒結(jié)制成靶材的操作中，燒結(jié)的溫度為1250℃，制成的靶材的直徑為50mm，厚度為2mm。

在優(yōu)選的實施例中，磁控濺射的操作中，工作氣體的流量為20sccm，工作氣體的壓強為3Pa，所述靶材與所述襯底的間距為60mm，所述襯底的溫度為500℃，所述激光的能量為150mJ。

在優(yōu)選的實施例中，所述襯底為ITO襯底；所述工作氣體為氧氣。

在優(yōu)選的實施例中，磁控濺射的操作中，通過控制磁控濺射的時間為10min～40min，得到厚度為60nm～400nm的釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜。

一種薄膜電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基底、陽極層、發(fā)光層以及陰極層，所述發(fā)光層為釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜，所述釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Me₅(AsO₄)₃Cl：xSm³⁺；

其中，Me₅(AsO₄)₃Cl是基質(zhì)，且x為0.01～0.05，Me為Mg、Ca、Sr或Ba。

一種薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：

提供襯底，所述襯底包括層疊的基底和陽極層；

在所述陽極層上形成發(fā)光層，所述發(fā)光層為釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜，所述釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Me₅(AsO₄)₃Cl：xSm³⁺，其中，Me₅(AsO₄)₃Cl是基質(zhì)，且x為0.01～0.05，Me為Mg、Ca、Sr或Ba；

在所述發(fā)光層上形成陰極層。

在優(yōu)選的實施例中，所述發(fā)光層的制備包括以下步驟：