[發(fā)明專利]一種氮化鋁陶瓷及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310315911.9 | 申請(qǐng)日: | 2013-07-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103387393A | 公開(公告)日: | 2013-11-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王煥平;楊清華;徐時(shí)清;湯雨詩;包浩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)計(jì)量學(xué)院 |
| 主分類號(hào): | C04B35/581 | 分類號(hào): | C04B35/581;C04B35/622 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200 | 代理人: | 韓介梅 |
| 地址: | 310018 浙*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氮化 陶瓷 及其 制備 方法 | ||
1.一種氮化鋁陶瓷,其特征在于它的重量份數(shù)組成為:
AlN??????????????????90~98份
Y2O3??????????????????1~5份
CaSiO3????????????????0.1~5份
CaMgSi2O6?????????????0.1~5份。
2.制備權(quán)利要求1所述的氮化鋁陶瓷的方法,其特征在于包括下述步驟:
(1)以CaCO3和SiO2為原材料,按照相同摩爾數(shù)將兩種原材料混合球磨,干燥后在1150℃~1250℃煅燒2小時(shí),然后球磨至粒徑為1~5μm,獲得CaSiO3粉體;
(2)以CaCO3、MgO和SiO2為原材料,按照鈣/鎂/硅的摩爾比為1/1/2將上述原材料混合球磨,干燥后在1150℃~1250℃煅燒2小時(shí),然后球磨至粒徑為1~5μm,獲得CaMgSi2O6粉體;
(3)將AlN、Y2O3、CaSiO3和CaMgSi2O6按重量份數(shù)混合,然后以無水乙醇為介質(zhì),球磨12~36小時(shí);
(4)向步驟(3)的混合粉體中添加聚乙烯醇縮丁醛的無水乙醇溶液作為粘合劑,混合后進(jìn)行造粒、成型、排膠,然后在1550℃~1600℃的真空或氮?dú)鈿夥罩袩Y(jié)1~3小時(shí),獲得氮化鋁陶瓷。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)計(jì)量學(xué)院,未經(jīng)中國(guó)計(jì)量學(xué)院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310315911.9/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 導(dǎo)電化合物上的大晶粒低電阻率鎢
- 基于六方氮化硼和磁控濺射氮化鋁的氮化鎵生長(zhǎng)方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及制備方法及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 連續(xù)氮化處理爐和連續(xù)氮化處理方法
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法





