[發(fā)明專利]輸出緩沖器及半導(dǎo)體裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310315660.4 | 申請日: | 2013-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN103580674A | 公開(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宮崎真裕;橋立修一 | 申請(專利權(quán))人: | 拉碧斯半導(dǎo)體株式會(huì)社 |
| 主分類號: | H03K19/0185 | 分類號: | H03K19/0185 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 袁波;李浩 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 輸出 緩沖器 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種輸出緩沖器,響應(yīng)于輸入信號而經(jīng)由輸出線送出具有與電源電壓對應(yīng)的電壓值的輸出信號,所述輸出緩沖器,其特征在于,具有:
第一MOS晶體管,在源極端子施加所述電源電壓,對柵極端子供給所述輸入信號;
第二MOS晶體管,漏極端子與所述輸出線連接,在源極端子連接有所述第一MOS晶體管的漏極端子;以及
偏置生成電路,生成一邊根據(jù)所述電源電壓而變化一邊將所述第二MOS晶體管設(shè)為導(dǎo)通狀態(tài)而且具有使所述第二MOS晶體管的柵極-源極間電壓為固定的電壓值的偏置電壓,并將其供給給所述第二MOS晶體管的柵極端子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輸出緩沖器,其特征在于,
在所述偏置生成電路中,在所述電源電壓是允許范圍的下限電壓值的情況下,與是上限電壓值的情況相比,生成電壓值低所述允許范圍的電壓寬度的量的偏置電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的輸出緩沖器,其特征在于,所述偏置生成電路包括:
分壓單元,對所述電源電壓進(jìn)行分壓而生成各自不同的多個(gè)候補(bǔ)電壓;
選擇器,從所述多個(gè)候補(bǔ)電壓之中選擇由選擇信號示出的一個(gè)候補(bǔ)電壓,將其作為基準(zhǔn)電壓送出;
基準(zhǔn)電壓調(diào)整單元,使所述基準(zhǔn)電壓的電壓值下降規(guī)定值;以及
放大單元,生成對由所述基準(zhǔn)電壓調(diào)整單元實(shí)施了調(diào)整的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行放大的電壓作為所述偏置電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3的任一項(xiàng)所述的輸出緩沖器,其特征在于,還包括:
第三MOS晶體管,漏極端子與所述輸出線連接;
第四MOS晶體管,在源極端子施加接地電壓,漏極端子與所述第三MOS晶體管的源極端子連接,對柵極端子供給所述輸入信號;以及
固定偏置生成電路,基于所述電源電壓生成將所述第三MOS晶體管設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)的固定電壓值的偏置電壓,將其供給給所述第三MOS晶體管的柵極端子。
5.一種半導(dǎo)體裝置,形成有響應(yīng)于輸入信號而經(jīng)由輸出線送出具有與電源電壓對應(yīng)的電壓值的輸出信號的輸出緩沖器,所述半導(dǎo)體裝置的特征在于,所述輸出緩沖器具有:
第一MOS晶體管,在源極端子施加所述電源電壓,對柵極端子供給所述輸入信號;
第二MOS晶體管,漏極端子與所述輸出線連接,在源極端子連接有所述第一MOS晶體管的漏極端子;以及
偏置生成電路,生成一邊根據(jù)所述電源電壓而變化一邊將所述第二MOS晶體管設(shè)為導(dǎo)通狀態(tài)而且具有使所述第二MOS晶體管的柵極-源極間電壓為固定的電壓值的偏置電壓,并將其供給給所述第二MOS晶體管的柵極端子。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
在所述偏置生成電路中,在所述電源電壓是允許范圍的下限電壓值的情況下,與是上限電壓值的情況相比,生成電壓值低所述允許范圍的電壓寬度的量的偏置電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,所述偏置生成電路包括:
分壓單元,對所述電源電壓進(jìn)行分壓而生成各自不同的多個(gè)候補(bǔ)電壓;
選擇器,從所述多個(gè)候補(bǔ)電壓之中選擇由選擇信號示出的一個(gè)候補(bǔ)電壓,將其作為基準(zhǔn)電壓送出;
基準(zhǔn)電壓調(diào)整單元,使所述基準(zhǔn)電壓的電壓值下降規(guī)定值;以及
放大單元,生成對由所述基準(zhǔn)電壓調(diào)整單元實(shí)施了調(diào)整的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行放大的電壓作為所述偏置電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求5~7的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,所述輸出緩沖器還包括:
第三MOS晶體管,漏極端子與所述輸出線連接;
第四MOS晶體管,在源極端子施加接地電壓,漏極端子與所述第三MOS晶體管的源極端子連接,對柵極端子供給所述輸入信號;以及
固定偏置生成電路,基于所述電源電壓生成將所述第三MOS晶體管設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)的固定電壓值的偏置電壓,將其供給給所述第三MOS晶體管的柵極端子。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于拉碧斯半導(dǎo)體株式會(huì)社,未經(jīng)拉碧斯半導(dǎo)體株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310315660.4/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





