[發(fā)明專利]小型化真空熱環(huán)境模擬系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310315518.X | 申請(qǐng)日: | 2013-07-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103359299A | 公開(公告)日: | 2013-10-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳漢華;王勤;鐘達(dá);梅剛?cè)A | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院武漢物理與數(shù)學(xué)研究所 |
| 主分類號(hào): | B64G7/00 | 分類號(hào): | B64G7/00 |
| 代理公司: | 武漢宇晨專利事務(wù)所 42001 | 代理人: | 王敏鋒 |
| 地址: | 430071 湖*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 小型化 真空 環(huán)境模擬 系統(tǒng) | ||
1.一種小型化真空熱環(huán)境模擬系統(tǒng),它包括真空罐蓋板(1)、O形氟橡膠圈(2)、真空罐柱體(3)、L形硅氟橡膠密封圈(4)、其特征在于:真空罐柱體(3)采用不銹鋼直立圓柱結(jié)構(gòu),其側(cè)面以焊接方式連接四個(gè)法蘭,真空罐蓋板(1)開有圓形玻璃視窗,玻璃視窗與真空罐蓋板(1)采用O形氟橡膠圈(2)密封,采用螺釘緊固連接,真空底板(5)上表面下端埋熱敏電阻,通過工作臺(tái)溫度測(cè)量接口與電控柜(25)連接,真空罐柱體(3)與真空罐蓋板(1)采用O形氟橡膠圈(2)密封連接;真空罐柱體(3)與真空底板(5)采用L形硅氟橡膠(4)密封連接,真空罐蓋板(1)、真空罐柱體(3)、真空底板(5)三者的相互連接,真空底板(5)與真空罐柱體(3)之間由L型硅氟橡膠(4)隔離密封。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型化真空熱環(huán)境模擬系統(tǒng),其特征在于:所述的法蘭是真空抽制設(shè)備接口第一法蘭(21)和測(cè)試電連接接口第二法蘭(22),機(jī)械泵、分子泵串接后通過第一法蘭(21)與真空罐柱體(3)相連;設(shè)備的電氣接口以及系統(tǒng)電控接口通過第二法蘭(22)與真空罐柱體(3)相連,第二法蘭(22)由一平板法蘭蓋封,平板法蘭上開有小孔,第三法蘭(23)和真空室內(nèi)溫度測(cè)量接口與第四法蘭(24)相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型化真空熱環(huán)境模擬系統(tǒng),其特征在于:所述的真空罐蓋板(1)開有圓形玻璃視窗(16),玻璃視窗(16)與真空罐蓋板(1)采用O形氟橡膠圈(17a)、O形氟橡膠圈(17b)密封,采用第一螺釘(18a)、第二螺釘(18b)、第三螺釘(18c)、第四螺釘(18d)連接,真空罐蓋板(1)采用圓形不銹鋼平板結(jié)構(gòu),罐蓋升降設(shè)備(13)焊接在真空罐柱體(3)側(cè)面,升降支撐懸臂(14)通過第一螺釘(15a)、第二螺釘(15b)、第三螺釘(15c)、第四螺釘(15d)與真空罐蓋板(1)連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型化真空熱環(huán)境模擬系統(tǒng),其特征在于:所述的真空底板(5)采用不銹鋼輻射狀空腔結(jié)構(gòu),真空底板(5)上表面即真空罐的工作臺(tái),真空底板(5)上表面下端埋熱敏電阻,通過工作臺(tái)溫度測(cè)量接口:第一接口(7a)、第二接口(7b)、第三接口(7c)、第四接口(7d)與電控柜(25)連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型化真空熱環(huán)境模擬系統(tǒng),其特征在于:所述的真空底板(5)下表面即輻射狀空腔下端開有二個(gè)孔,分別是溫度調(diào)節(jié)控制設(shè)備第一接口(8a),第二接口(8b),溫控介質(zhì)進(jìn)出導(dǎo)流管,真空罐柱體(3)下底部的二個(gè)接口即溫度調(diào)節(jié)控制設(shè)備第一接口(8a),第二接口(8b)相連,真空底板(5)外周用環(huán)氧玻布板封裝并填充環(huán)氧樹脂發(fā)泡劑(10),托板(6)、封裝板(9)和加強(qiáng)板(12)通過第一螺栓(19a)、第二螺栓(19b)、第三螺栓(19c)、第四螺栓(19d)、第五螺栓(19e)、第六螺栓(19f)、第七螺栓(19g)、第八螺栓(19h)連接,封裝板(11)卡在封裝板(9)和加強(qiáng)板(12)之間的凹槽內(nèi)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)院武漢物理與數(shù)學(xué)研究所,未經(jīng)中國(guó)科學(xué)院武漢物理與數(shù)學(xué)研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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