[發明專利]一種金屬氧化物薄膜晶體管存儲器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201310315245.9
• 申請日: 2013-07-25
• 公開（公告）號: CN103400842A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 羅東向;徐苗;陶洪;龐佳威;周雷;李洪濛;王磊;彭俊彪
• 申請（專利權）人: 廣州新視界光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

1.一種金屬氧化物薄膜晶體管存儲器件，其特征在于：設置有電荷存儲層，金屬氧化物薄膜晶體管的有源層位于所述電荷存儲層和金屬氧化物薄膜晶體管的絕緣層之間。

2.根據權利要求1所述的金屬氧化物薄膜晶體管存儲器件，其特征在于：所述電荷存儲層為三氧化鉬薄膜層、三氧化鎢薄膜層、氧化鎳薄膜層、C₆₀薄膜層、PCBM薄膜層、碳納米管薄膜層、石墨烯薄膜層、聚乙烯二氧噻吩薄膜層、P-PPV薄膜層、PFO薄膜層或者PFN薄膜層中的任意一種。

3.根據權利要求2所述的金屬氧化物薄膜晶體管存儲器件，其特征在于：所述電荷存儲層通過旋涂法、真空熱蒸發法、磁控濺射法、原子層沉積法或者絲網印刷法中的任意一種方式成膜制備而成。

4.根據權利要求3所述的金屬氧化物薄膜晶體管存儲器件，其特征在于：所述電荷存儲層的層厚設置為1～50?nm。

5.根據權利要求1至4任意一項所述的金屬氧化物薄膜晶體管存儲器件，其特征在于：所述金屬氧化物薄膜晶體管為背溝道刻蝕型底柵結構，所述電荷存儲層位于有源層之上、源漏電極和鈍化層之下。

6.根據權利要求1至4任意一項所述的金屬氧化物薄膜晶體管存儲器件，其特征在于：所述金屬氧化物薄膜晶體管為背溝道刻蝕型底柵結構，所述電荷存儲層位于有源層和源漏電極之上、鈍化層之下。

7.?根據權利要求1至4任意一項所述的金屬氧化物薄膜晶體管存儲器件，其特征在于：所述金屬氧化物薄膜晶體管為刻蝕阻擋型底柵結構，所述電荷存儲層位于有源層之上、刻蝕阻擋層之下。

8.根據權利要求1至4任意一項所述的金屬氧化物薄膜晶體管存儲器件，其特征在于：所述金屬氧化物薄膜晶體管為頂柵結構，所述電荷存儲層位于襯底之上、有源層之下。

9.一種如權利要求1至8任意一項所述的金屬氧化物薄膜晶體管存儲器件的制備方法，其特征在于：在制備金屬氧化物薄膜晶體管的工藝中，設有電荷存儲層制備工序，使得金屬氧化物薄膜晶體管的有源層位于所述電荷存儲層和金屬氧化物薄膜晶體管的絕緣層之間。

10.根據權利要求9所述的金屬氧化物薄膜晶體管存儲器件的制備方法，其特征在于：

當金屬氧化物薄膜晶體管為背溝道刻蝕型底柵結構時，具體是制備有源層之后，在有源層上制備電荷存儲層，然后再在電荷存儲層上制備源漏電極；或者在制備完源漏電極之后，再在源漏電極上制備電荷存儲層；

當金屬氧化物薄膜晶體管為刻蝕阻擋型底柵結構時，具體是制備有源層后，在所述有源層上制備電荷存儲層，再制備刻蝕阻擋層；

當金屬氧化物薄膜晶體管為頂柵結構時，具體是在襯底上制備電荷存儲層之后，在電荷存儲層上制備有源層，然后再在有源層上連續制備絕緣層和柵極；或者在襯底上制備電荷存儲層之后，再在電荷存儲層上連續制備有源層、絕緣層和柵極；

所述電荷存儲層通過旋涂法、真空熱蒸發法、磁控濺射法、原子層沉積法或者絲網印刷法中的任意一種方式成膜制備而成；

所述電荷存儲層為三氧化鉬薄膜層、三氧化鎢薄膜層、氧化鎳薄膜層、C₆₀薄膜層、PCBM薄膜層、碳納米管薄膜層、石墨烯薄膜層、聚乙烯二氧噻吩薄膜層、P-PPV薄膜層、PFO薄膜層或者PFN薄膜層中的任意一種。