[發(fā)明專利]雙極型晶體管的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310315237.4
• 申請日: 2013-07-24
• 公開（公告）號: CN103400764A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發(fā)明（設計）人: 林益梅
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種雙極型晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底內(nèi)形成N型集電極；

在所述N型集電極表面形成P型基極，所述P型基極表面具有自然氧化形成的氧化層；

在所述P型基極上形成N型發(fā)射極；

對所述P型基極和N型發(fā)射極進行退火處理，降低發(fā)射極電阻。

2.根據(jù)權利要求1所述的雙極型晶體管的形成方法，其特征在于，所述退火處理采用的是快速熱退火工藝。

3.根據(jù)權利要求1所述的雙極型晶體管的形成方法，其特征在于，所述退火處理的溫度范圍為500℃～1200℃，所述退火處理的時間為10s～30s。

4.根據(jù)權利要求1所述的雙極型晶體管的形成方法，其特征在于，所述氧化層的厚度為

5.根據(jù)權利要求4所述的雙極型晶體管的形成方法，其特征在于，在形成所述N型多晶硅層之前，對所述P型基極表面進行清洗，然后在所述P型基極表面自然氧化形成所述氧化層。

6.根據(jù)權利要求4所述的雙極型晶體管的形成方法，其特征在于，退火處理后，所述氧化層內(nèi)出現(xiàn)若干空洞，并且所述空洞的總面積為退火處理之前的氧化層面積的1%～20%。

7.根據(jù)權利要求1所述的雙極型晶體管的形成方法，其特征在于，所述P型基極的材料為P型摻雜的SiGe。

8.根據(jù)權利要求1所述的雙極型晶體管的形成方法，其特征在于，在所述N型集電極表面形成P型基極的方法包括：在所述半導體襯底表面形成第一絕緣層；刻蝕所述第一絕緣層，在所述N型集電極表面形成第一開口，所述第一開口暴露出所述N型集電極的表面；形成填充滿所述第一開口的P型基極。

9.根據(jù)權利要求8所述的雙極型晶體管的形成方法，其特征在于，在所述P型基極表面形成N型發(fā)射極的方法包括：

在所述第一絕緣層和P型基極表面形成基極多晶硅層，以及位于所述基極多晶硅層表面的第二絕緣層；

刻蝕所述第二絕緣層和基極多晶硅層，形成位于所述P型基極表面的第二開口，所述第二開口暴露出部分P型基極的表面；

在所述第二開口內(nèi)形成N型多晶硅層，所述N型多晶硅層覆蓋第二開口的內(nèi)壁以及第二絕緣層表面；

在所述N型多晶硅層表面形成圖形化掩膜層，以所述圖形化掩膜層為掩膜，刻蝕所述N型多晶硅層和第二絕緣層，暴露出遠離所述第二開口部分的基極多晶硅層的部分表面，剩余的部分N型多晶硅層作為N型發(fā)射極。

10.根據(jù)權利要求9所述的雙極型晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二絕緣層的材料為正硅酸乙酯、氮氧化硅、氮化硅中的一種或幾種，所述第二絕緣層為單層或者多層堆疊結(jié)構。