[發明專利]高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃及其制備方法

有效

• 申請號: 201310315178.0
• 申請日: 2013-07-25
• 公開（公告）號: CN103358619A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 林嘉佑
• 申請（專利權）人: 林嘉佑
• 主分類號: B32B17/06
• 分類號: B32B17/06;C03C17/36
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司 11278
• 代理人: 王光輝

1.一種高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，該鍍膜玻璃依次包括：玻璃基板/底層電介質層/第一阻擋層/第一功能層/第二阻擋層/中間電介質層/第三阻擋層/第二功能層/第四阻擋層/頂層電介質層；其中，底層、頂層電介質層為Si3N4層；第一，第二、第三、第四阻擋層為ZnO層或者AZO層或者NiCrOx層；第一、第二功能層為Ag層；中間電介質層為ZnSnO3層或者Si3N4和ZnSnO3的組合層。

2.根據權利要求1所述的高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述的底層、頂層電介質層Si3N4層的膜層厚度范圍為10～50nm。

3.根據權利要求1所述的高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述的第一，第二、第三、第四阻擋層為ZnO層或者AZO層或者NiCrOx層的膜層厚度范圍為1～30nm。

4.根據權利要求1所述的高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述的第一、第二功能層Ag層的膜層厚度范圍為1～30nm。

5.根據權利要求1所述的高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述的中間電介質層為ZnSnO3層或者Si3N4和ZnSnO3的組合層的膜層厚度范圍為30～150nm。

6.一種高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于：采用真空磁控濺射鍍膜技術，在玻璃基板的表面逐層鍍膜：在玻璃基板上鍍底層電介質層；在底層電介質上鍍第一阻擋層；在第一阻擋層上鍍第一功能層；在第一功能層上鍍第二阻擋層；在第二阻擋層上鍍中間電介質層；在中間電介質層上鍍第三阻擋層；在第三阻擋層上鍍第二功能層；在第二功能層上鍍第四阻擋層；在第四阻擋層上鍍頂層電介質層。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述的底層、頂層電介質層為Si3N4層；第一，第二、第三、第四阻擋層為ZnO層或者AZO層或者NiCrOx層；第一、第二功能層為Ag層；中間電介質層為ZnSnO3層或者Si3N4和ZnSnO3的組合層。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于：所述的底層、頂層電介質層Si3N4層，使用硅鋁靶，采用旋轉雙陰極，中頻電源濺射的方式，在工藝氣體N₂與Ar的參與下，濺射沉積形成膜；其濺射功率為10～100KW；真空濺射的工藝氣壓為：8.0E-3mbar～1.0E-3mbar。

9.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于：所述的第一，第二、第三、第四阻擋層為ZnO層或者AZO層或者NiCrOx層，使用鋅鋁靶或者AZO靶，采用旋轉雙陰極，中頻電源濺射的方式，在工藝氣體O₂與Ar的參與下，濺射沉積形成膜；其濺射功率為1～80KW；真空濺射的工藝氣壓為：8.0E-3mbar～1.0E-3mbar。

10.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于：所述的第一、第二功能層Ag層，使用銀靶，采用平面陰極，直流磁控濺射的方式，在工藝氣體Ar的參與下，濺射沉積形成膜；其濺射功率為1～20KW；真空濺射的工藝氣壓為：8.0E-3mbar～1.0E-3mbar。

11.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于：所述的中間電介質層ZnSnO3層或者Si3N4和ZnSnO3的組合層，采用鋅錫靶，采用旋轉雙陰極，中頻電源濺射的方式，在工藝氣體O₂與Ar的參與下，濺射沉積形成膜；其濺射功率為10～100KW；真空濺射的工藝氣壓為：8.0E-3mbar～1.0E-3mbar。