[發(fā)明專利]極紫外光刻機(jī)光源系統(tǒng)及極紫外曝光方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310315161.5
• 申請(qǐng)日: 2013-07-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104345569B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐依協(xié)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種極紫外光刻機(jī)光源系統(tǒng)，其特征在于，包括：

激光輻射裝置，適于提供激光輻射；

極紫外光激發(fā)源，適于接受激光輻射而產(chǎn)生極紫外光，在激光輻射中產(chǎn)生凝聚態(tài)顆粒飛出極紫外光激發(fā)源；

收集器，用于收集極紫外光；其中，所述收集器包括若干反射鏡，所述反射鏡在收集極紫外光時(shí)配置成反射態(tài)和非反射態(tài)，其中，所述反射態(tài)適于反射極紫外光；非反射態(tài)適于躲避凝聚態(tài)顆粒污染；其中，凝聚態(tài)顆粒于激光輻射后T時(shí)間到達(dá)收集器。

2.如權(quán)利要求1所述的極紫外光刻機(jī)光源系統(tǒng)，其特征在于，當(dāng)所述反射鏡配置成反射態(tài)時(shí)，若干反射鏡配置成匯聚極紫外光；當(dāng)所述反射鏡配置成非反射態(tài)時(shí)，所述反射鏡轉(zhuǎn)動(dòng)反射面與凝聚態(tài)顆粒飛行方向平行。

3.如權(quán)利要求1所述的極紫外光刻機(jī)光源系統(tǒng)，其特征在于，所述激光輻射為脈沖模式；所述反射鏡配置為非反射態(tài)的時(shí)間滯后于激光脈沖持續(xù)時(shí)間，以躲避凝聚態(tài)顆粒飛行方向。

4.如權(quán)利要求1所述的極紫外光刻機(jī)光源系統(tǒng)，其特征在于，所述激光輻射為脈沖模式，所述反射鏡配置為非反射態(tài)的時(shí)間為與脈沖持續(xù)時(shí)間滯后T時(shí)間，所述T時(shí)間在范圍2毫秒至12毫秒。

5.如權(quán)利要求4所述的極紫外光刻機(jī)光源系統(tǒng)，其特征在于，所述激光輻射為CO₂激光器激發(fā)的波長(zhǎng)為10.6微米的激光。

6.如權(quán)利要求1所述的極紫外光刻機(jī)光源系統(tǒng)，其特征在于，所述極紫外光激發(fā)源材料為Xe、Sn或Li。

7.如權(quán)利要求1所述的極紫外光刻機(jī)光源系統(tǒng)，其特征在于，所述反射鏡材料為鉬、鉬合金、硅、釕或釕合金；或所述反射鏡基體為硅，且基體表面鍍有多層硅鉬膜、鉬合金、釕或釕合金膜層結(jié)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求1所述的極紫外光刻機(jī)光源系統(tǒng)，其特征在于，還包括：設(shè)置于收集器外圍的凝聚態(tài)顆粒收集器。

9.一種極紫外光刻機(jī)光源系統(tǒng)，其特征在于，包括：

高壓放電等離子體施加裝置，適于施加高電壓；

極紫外光激發(fā)源，適于接受高電壓放電而產(chǎn)生極紫外光，所述極紫外光激發(fā)源在高電壓放電中產(chǎn)生凝聚態(tài)顆粒飛出極紫外光激發(fā)源；

收集器，用于收集極紫外光；其中，所述收集器包括若干反射鏡，所述反射鏡在收集極紫外光時(shí)配置成反射態(tài)和非反射態(tài)，其中，所述反射態(tài)適于反射極紫外光；非反射態(tài)適于躲避凝聚態(tài)顆粒污染；其中，凝聚態(tài)顆粒于高電壓放電后T2時(shí)間到達(dá)收集器。

10.如權(quán)利要求9所述的極紫外光刻機(jī)光源系統(tǒng)，其特征在于，當(dāng)所述反射鏡配置成反射態(tài)時(shí)，若干反射鏡配置成匯聚極紫外光；當(dāng)所述反射鏡配置成非反射態(tài)時(shí)，所述反射鏡轉(zhuǎn)動(dòng)至凝聚態(tài)顆粒飛行方向。

11.如權(quán)利要求9所述的極紫外光刻機(jī)光源系統(tǒng)，其特征在于，所述高電壓施加為脈沖模式，所述反射鏡配置為非反射態(tài)的時(shí)間滯后于脈沖持續(xù)時(shí)間，以躲避凝聚態(tài)顆粒飛行方向。

12.如權(quán)利要求9所述的極紫外光刻機(jī)光源系統(tǒng)，其特征在于，所述高電壓施加為脈沖模式，脈沖持續(xù)時(shí)間為1納秒至1毫秒，所述反射鏡配置為非反射態(tài)的時(shí)間以T2時(shí)間滯后于脈沖持續(xù)時(shí)間，所述T2時(shí)間在范圍2毫秒至12毫秒。

13.如權(quán)利要求9所述的極紫外光刻機(jī)光源系統(tǒng)，其特征在于，所述極紫外光激發(fā)源材料為Xe、Sn或Li。

14.如權(quán)利要求9所述的極紫外光刻機(jī)光源系統(tǒng)，其特征在于，所述反射鏡材料為鉬、鉬合金、硅、釕或釕合金；或所述反射鏡基體為硅，且基體表面鍍有多層硅鉬膜、鉬合金、釕或釕合金膜層結(jié)構(gòu)。

15.如權(quán)利要求9所述的極紫外光刻機(jī)光源系統(tǒng)，其特征在于，還包括：設(shè)置于收集器外圍的凝聚態(tài)顆粒收集器。

16.一種極紫外曝光方法，其特征在于，包括：

采用極紫外光刻機(jī)光源系統(tǒng)產(chǎn)生極紫外光，極紫外光激發(fā)源在激光輻射中產(chǎn)生凝聚態(tài)顆粒飛出極紫外光激發(fā)源；

其中，在激發(fā)極紫外光激發(fā)源產(chǎn)生極紫外光時(shí)，極紫外光刻機(jī)光源系統(tǒng)的反射鏡配置成反射態(tài)，所述反射態(tài)適于反射極紫外光；

在激發(fā)極紫外光激發(fā)源產(chǎn)生極紫外光后，極紫外光刻機(jī)光源系統(tǒng)的反射鏡配置成非反射態(tài)，所述非反射態(tài)適于躲避凝聚態(tài)顆粒污染。