[發明專利]顯示單元和電子裝置有效
| 申請號: | 201310314270.5 | 申請日: | 2013-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN103579289A | 公開(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發明(設計)人: | 甚田誠一郎;野田真;泉岳;和泉健一;古立學;關毅裕;土谷通利 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 余剛;吳孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 單元 電子 裝置 | ||
1.一種顯示單元,包括:
第一電極層的發光部部分和第二電極層的發光部部分之間的有機層,光可從所述有機層內發出;
所述第一電極層的接觸部和所述第二電極層的間隙部部分之間的孔徑限定絕緣膜,
其中,所述第二電極層的所述間隙部部分的厚度大于所述第二電極層的所述發光部部分的厚度。
2.根據權利要求1所述的顯示單元,進一步包括:
布線,電連接到所述第一電極層的所述接觸部,所述第一電極層的所述接觸部在所述孔徑限定絕緣膜和所述布線之間。
3.根據權利要求2所述的顯示單元,進一步包括:
驅動晶體管,電連接到所述第一電極層的所述接觸部。
4.根據權利要求1所述的顯示單元,其中,所述有機層包括:
空穴注入層和發光層之間的空穴傳輸層,所述發光層在電子傳輸層和所述空穴傳輸層之間。
5.根據權利要求1所述的顯示單元,其中,所述第二電極層的所述間隙部部分包括:
第一導電層和第二導電層,所述第二導電層與所述第一導電層物理接觸。
6.根據權利要求5所述的顯示單元,其中,所述第二導電層的體電阻率低于所述第一導電層的體電阻率。
7.根據權利要求5所述的顯示單元,其中,所述第一導電層為銦錫氧化物層。
8.根據權利要求5所述的顯示單元,其中,所述第一導電層包括銦、鋅和氧。
9.根據權利要求5所述的顯示單元,其中,所述第二導電層為導電金屬材料。
10.根據權利要求5所述的顯示單元,其中,所述第一導電層電連接到所述第二電極層的所述發光部部分。
11.根據權利要求5所述的顯示單元,其中,所述第一導電層和所述第二電極層的所述發光部部分為相同材料。
12.根據權利要求11所述的顯示單元,其中,所述第一導電層和所述第二導電層為所述相同材料。
13.根據權利要求11所述的顯示單元,其中,所述第一導電層和所述第二導電層為不同材料。
14.根據權利要求13所述的顯示單元,其中,所述光可透過所述第一導電層傳輸,所述第二導電層對所述光是不透明的。
15.根據權利要求1所述的顯示單元,其中,開口穿過平坦化膜延伸,所述第一電極層的所述接觸部在所述開口內。
16.根據權利要求15所述的顯示單元,其中,所述第一電極層的所述發光部部分在所述有機層和所述平坦化膜之間。
17.根據權利要求1所述的顯示單元,其中,所述第二電極層的所述間隙部部分具有包括第一層和第二層的層壓結構,所述第一層和所述第二層中的一層或兩層由與所述第二電極層的所述發光部部分相同的材料制成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





