[發(fā)明專利]一種具有新型柵結(jié)構(gòu)的柵控半導體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310313080.1
• 申請日: 2013-07-24
• 公開（公告）號: CN103400854A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王元剛;馮志紅;敦少博;呂元杰;房玉龍;顧國棟;宋旭波
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/778
• 代理公司: 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120
• 代理人: 陸林生

1.一種具有新型柵結(jié)構(gòu)的柵控半導體器件，其特征在于自下而上包括襯底（1）、中間層和柵結(jié)構(gòu)，所述柵控半導體器件的柵結(jié)構(gòu)沿柵寬方向由介質(zhì)柵和肖特基柵交替連接組成；所述介質(zhì)柵的數(shù)目n1和肖特基柵的數(shù)目n2均為大于等于1的整數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有新型柵結(jié)構(gòu)的柵控半導體器件，其特征在于所述介質(zhì)柵柵寬度d1范圍為：1nm≤d1≤10mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種具有新型柵結(jié)構(gòu)的柵控半導體器件，其特征在于所述為肖特基柵柵寬度d2范圍為：1nm≤d2≤10mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有新型柵結(jié)構(gòu)的柵控半導體器件，其特征在于所述肖特基柵為平面柵或者凹槽柵，所述介質(zhì)柵為平面柵或者凹槽柵。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的一種具有新型柵結(jié)構(gòu)的柵控半導體器件，其特征在于各介質(zhì)柵的柵介質(zhì)（7）的厚度h相等，且h大于0nm且小于等于1mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的一種具有新型柵結(jié)構(gòu)的柵控半導體器件，其特征在于所述介質(zhì)柵和肖特基柵所用金屬為相同金屬。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有新型柵結(jié)構(gòu)的柵控半導體器件，其特征在于所述柵控半導體器件為Si柵控器件、III族氮化物柵控器件、GaAs柵控器件、金剛石柵控器件、石墨烯柵控器件、Ge柵控器件或InP柵控器件。