[發(fā)明專利]多層階梯式基片集成波導(dǎo)實現(xiàn)微帶至波導(dǎo)的垂直過渡結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310312907.7 | 申請日： | 2013-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN103515682A | 公開（公告）日： | 2014-01-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 戴新峰;周明 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所 |
| 主分類號： | H01P5/00 | 分類號： | H01P5/00;H01P5/08 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 王華 |
| 地址： | 210016 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多層 階梯 式基片 集成 波導(dǎo) 實現(xiàn) 微帶 垂直 過渡 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種多層階梯式基片集成波導(dǎo)實現(xiàn)微帶至波導(dǎo)的垂直過渡結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括階梯式集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)和矩形波導(dǎo)，所述階梯式集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)包括從上至下依次層疊的多層基片，每層基片設(shè)有陣列的金屬化通孔，該金屬化通孔圍成的區(qū)域的上下表面經(jīng)過刻蝕形成相應(yīng)的耦合口徑，耦合口徑周圍的金屬化通孔的垂直貫通連接形成階梯式的電磁耦合結(jié)構(gòu)，同時最上層基片的上表面設(shè)置微帶結(jié)構(gòu)，最下層的下表面設(shè)置金屬地面，該金屬地面腐蝕有用于連接矩形波導(dǎo)的連接口徑，從而形成階梯式波導(dǎo)結(jié)構(gòu)；所述矩形波導(dǎo)通過金屬地面上的連接口徑與階梯式集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)垂直連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述多層階梯式基片集成波導(dǎo)實現(xiàn)微帶至波導(dǎo)的垂直過渡結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述階梯式集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)包括三層基片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述多層階梯式基片集成波導(dǎo)實現(xiàn)微帶至波導(dǎo)的垂直過渡結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述整個電磁耦合結(jié)構(gòu)為階梯狀。
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