[發(fā)明專利]一種具有內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)的片式電容及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310312854.9
• 申請(qǐng)日: 2013-07-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103515093A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 董一鳴;曹坤;程凱;戴洲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所
• 主分類號(hào): H01G4/228
• 分類號(hào): H01G4/228;H01G4/06;H01G4/12
• 代理公司: 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204
• 代理人: 王華

1.一種具有內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)的片式電容，其特征在于：包括多層本體、內(nèi)電極、外電極；所述多層本體為由多層電介質(zhì)層燒結(jié)而成的整體；多層本體內(nèi)含有兩個(gè)相對(duì)設(shè)立的內(nèi)電極，上下表面設(shè)有外電極，所述外電極通過(guò)設(shè)在多層本體上的互連孔與內(nèi)電極電氣互連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)的片式電容，其特征在于，所述多層本體的外形尺寸為B₁×B₂×D＝（0.20～1.00）×（0.20～1.00）×（0.10～0.50）mm³，所述的內(nèi)電極尺寸為b₁×b₂＝［0.10～（B₁－0.06）］×［0.10～（B₂－0.06）］mm²。

3.一種權(quán)利要求1所述具有內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)的片式電容的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1）將多層生瓷流延片經(jīng)過(guò)疊片、預(yù)壓后分別制得上層生瓷片、下層生瓷片和中間層生瓷片；

2）接著在上層生瓷片和下層生瓷片表面覆蓋馬蘭膜，分別對(duì)上層生瓷片、下層生瓷片進(jìn)行打孔處理，得到貫通的互連孔；中間層生瓷片進(jìn)行打孔處理，得到定位孔，然后對(duì)上層生瓷片和下層生瓷片的互連孔進(jìn)行金屬化填孔，并去除馬蘭膜；

3）分別在步驟2）所得的上層生瓷片和下層生瓷片的一面印刷內(nèi)電極；

4）將步驟3）所得下層生瓷片放置在下層壓板上，按順序在下層生瓷片上疊放中間生瓷片、上層生瓷片、上層壓板，疊放時(shí)印刷有內(nèi)電極的一面朝內(nèi)，然后進(jìn)行層壓處理，層壓后對(duì)制品進(jìn)行燒結(jié)得到多層本體；

5）采用濺射或涂覆工藝在多層本體上下表面分別制得外電極，得到具有內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)的片式電容。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)的片式電容的制備方法，其特征在于：所述步驟2）中將馬蘭膜分別與上、下層生瓷片一同打孔，并將馬蘭膜作為填孔掩膜，填孔工藝結(jié)束，再將馬蘭膜分別與上、下層生瓷片分離。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)的片式電容的制備方法，其特征在于：所述步驟4）中上層壓板和下層壓板均設(shè)有定位柱，而所述中間層生瓷片對(duì)應(yīng)設(shè)有定位孔，疊放時(shí)定位孔穿過(guò)上、下層壓板上的定位柱，從而精確定位層壓。