[發明專利]一種圖像傳感器芯片的晶圓級封裝方法

有效

• 申請號: 201310312626.1
• 申請日: 2013-07-23
• 公開（公告）號: CN103367382A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 鄧輝;夏歡;趙立新;李文強
• 申請（專利權）人: 格科微電子(上海)有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種圖像傳感器芯片的晶圓級封裝方法，包括如下步驟：

A：通過分布在每個圖像傳感器芯片之間的支撐側墻將對應于圖像傳感器晶圓正面、面積大于或等于圖像傳感器晶圓的第一基板相粘合；

B：從背面研磨所述的圖像傳感器晶圓，使其厚度減至200微米以下；

C：通過刻蝕、沉積工藝將所述圖像傳感器晶圓的焊盤電學連接至圖像傳感器晶圓背面的焊接點；

D：切割所述圖像傳感器晶圓，通過控制所述支撐側墻寬度使其匹配于切割通道的寬度，切除置于圖像傳感器芯片之間的支撐側墻，使切割后得到的所述圖像傳感器芯片和所述第一基板剝離。

2.根據權利要求1所述的一種圖像傳感器芯片的晶圓級封裝方法，還包括：

E：制作一具有窗口的支撐框架，在所述窗口上密閉覆蓋有第二基板。

3.根據權利要求2所述的一種圖像傳感器芯片的晶圓級封裝方法，其特征在于：

所述透明的第二基板為玻璃材質或塑料材質，所述第二基板的單面鍍上紅外濾光膜或雙面上分別鍍有紅外濾光膜和光學增透膜，以提高所述透明材料的光學性能。

4.根據權利要求2或3所述的一種圖像傳感器芯片的晶圓級封裝方法，其特征在于：所述步驟D之后還包括：

F：粘合切割分離后的所述圖像傳感器芯片于所述支撐框架上，所述圖像傳感器芯片的光學面均朝向所述第二基板，使圖像傳感器芯片光學面免受環境灰塵及其他人為沾污；所述圖像傳感器芯片的光學面與所述第二基板之間的距離大于10微米。

5.根據權利要求1所述的一種圖像傳感器芯片的晶圓級封裝方法，其特征在于：所述的步驟C還包括：

C1：圖形化刻蝕減薄后的所述圖像傳感器晶圓的背面以產生V型切槽或硅通孔并露出圖像傳感器芯片的焊盤；

C2：在刻蝕完V型切槽或硅穿孔的所述圖像傳感器晶圓的背面上淀積或涂布一層絕緣層；

C3：通過刻蝕或激光鉆孔或機械切割方式使得所述圖像傳感器芯片的焊盤部分或全部暴露；

C4：制作金屬連線將所述圖像傳感器芯片的焊盤電學連接至圖像傳感器晶圓背面的焊接點。

6.根據權利要求5所述的一種圖像傳感器芯片的晶圓級封裝方法，其特征在于：所述的步驟C4進一步包括：

通過植球或印刷焊膏及回流焊的方法于所述焊接點上形成焊球凸點的陣列。

7.根據權利要求1所述的一種圖像傳感器芯片的晶圓級封裝方法，其特征在于：所述的支撐側墻寬度小于所述圖像傳感器晶圓切割通道寬度與切割通道相鄰的兩焊盤寬度距離之和。

8.根據權利要求1所述的一種圖像傳感器芯片的晶圓級封裝方法，其特征在于：所述支撐側墻的高度為2到100微米。

9.根據權利要求1所述的一種圖像傳感器芯片的晶圓級封裝方法，其特征在于：所述支撐側墻的材質為環氧樹脂；所述支撐側墻上有一個開口向上的通道。

10.根據權利要求2所述的一種圖像傳感器芯片的晶圓級封裝方法，其特征在于：

所述支撐框架設置有基部和沿基部垂直方向延伸的壁部；

所述支撐框架通過所述基部粘合至切割后的所述多個圖像傳感器芯片的支撐側壁上，通過所述壁部粘合架設第二基板。

11.根據權利要求10所述的一種圖像傳感器芯片的晶圓級封裝方法，其特征在于：所述支撐框架的壁部高度至少為150微米，所述透明基板的厚度至少為50微米。

12.根據權利要求1所述的一種圖像傳感器芯片的晶圓級封裝方法，其特征在于：所述圖像傳感器的晶圓級封裝方法通過芯片級封裝技術、激光鉆孔硅穿孔技術或等離子體刻蝕硅穿孔技術實現。