[發明專利]基于石墨烯的反射型可飽和吸收體及制備方法有效
| 申請號： | 201310312516.5 | 申請日： | 2013-07-23 |
| 公開（公告）號： | CN103368059A | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發明（設計）人： | 鄭燃;義理林;李偉雄;胡衛生 | 申請（專利權）人： | 上海交通大學 |
| 主分類號： | H01S3/11 | 分類號： | H01S3/11;G02F1/35;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 上海旭誠知識產權代理有限公司 31220 | 代理人： | 鄭立 |
| 地址： | 200240 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 石墨 反射 飽和 吸收體 制備 方法 | ||
1.基于石墨烯的反射型可飽和吸收體，其特征在于，
包括可飽和吸收層、反射膜層、基底層；
所述可飽和吸收層、所述反射膜層、所述基底層三層貼合成一體，所述反射膜層位于所述可飽和吸收層與所述基底層之間。
2.如權利要求1所述的基于石墨烯的反射型可飽和吸收體，其特征在于，所述可飽和吸收層是石墨烯、氧化石墨烯或者官能化石墨烯之中的一種。
3.如權利要求1所述的基于石墨烯的反射型可飽和吸收體，其特征在于，所述反射膜層是金膜、銀膜、銅膜或者鋁膜之中的一種。
4.如權利要求1所述的基于石墨烯的反射型可飽和吸收體，其特征在于，所述基底層是硅或者二氧化硅之中的一種。
5.基于石墨烯的反射型可飽和吸收體的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
（1）在銅箔上生長石墨烯；
（2）在所述石墨烯表面鍍第一反射膜，得到鍍第一反射膜的石墨烯；
（3）在基底上表面鍍第二反射膜，得到鍍第二反射膜的基底；
（4）將步驟（2）中所述鍍第一反射膜的石墨烯倒置，使所述第一反射膜朝下并與步驟（3）中所述鍍第二反射膜的基底上的所述第二反射膜結合在一起；
（5）將所述銅箔腐蝕掉，露出所述石墨烯。
6.如權利要求5所述的基于石墨烯的反射型可飽和吸收體的制備方法，其特征在于，所述第一反射膜與所述第二反射膜材料相同，選自金膜、銀膜、銅膜、鋁膜之中的一種。
7.如權利要求5所述的基于石墨烯的反射型可飽和吸收體的制備方法，其特征在于，所述基底選自硅或者二氧化硅之中的一種。
8.如權利要求5所述的基于石墨烯的反射型可飽和吸收體的制備方法，其特征在于，用蒸鍍方法鍍所述第一反射膜與所述第二反射膜。
9.如權利要求5所述的基于石墨烯的反射型可飽和吸收體的制備方法，其特征在于，所述石墨烯上所述第一反射膜與所述基底上所述第二反射膜用光膠或者紫外膠結合。
10.如權利要求5所述的基于石墨烯的反射型可飽和吸收體的制備方法，其特征在于，利用氯化鐵溶液刻蝕掉所述銅箔。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海交通大學，未經上海交通大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310312516.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種電力控制柜
- 下一篇：一種能控制插座接通與斷開的智能插座
