[發(fā)明專利]接面能障肖特基二極管及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310311338.4
• 申請日: 2013-07-23
• 公開（公告）號: CN104347732A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃宗義;廖文毅
• 申請（專利權(quán)）人: 立锜科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L29/47;H01L21/329;H01L21/28;H01L29/45
• 代理公司: 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 陳肖梅;謝麗娜

1.一種接面能障肖特基二極管，其特征在于，包含：

一N型氮化鎵基板，具有一上表面；

一氮化鋁鎵阻障層，形成于該上表面上；

一P型氮化鎵層，形成于該N型氮化鎵基板上；

一陽極導(dǎo)電層，形成于該氮化鋁鎵阻障層上，且部分該陽極導(dǎo)電層與該氮化鋁鎵阻障層，形成肖特基接觸；以及

一陰極導(dǎo)電層，形成于該上表面上，并與該N型氮化鎵基板間，形成一歐姆接觸，且該陰極導(dǎo)電層與該陽極導(dǎo)電層不直接連接。

2.如權(quán)利要求1所述的接面能障肖特基二極管，其中，該P(yáng)型氮化鎵層與該N型氮化鎵基板由該氮化鋁鎵阻障層隔開。

3.如權(quán)利要求2所述的接面能障肖特基二極管，其中，該陽極導(dǎo)電層、該氮化鋁鎵阻障層、該N型氮化鎵基板與該陰極導(dǎo)電層形成一肖特基二極管，且該P(yáng)型氮化鎵層、該氮化鋁鎵阻障層與該N型氮化鎵基板形成一PIN二極管，其中，該肖特基二極管與該P(yáng)IN二極管并聯(lián)。

4.如權(quán)利要求1所述的接面能障肖特基二極管，其中，該陽極導(dǎo)電層、該氮化鋁鎵阻障層、該N型氮化鎵基板與該陰極導(dǎo)電層形成一肖特基二極管，且該P(yáng)型氮化鎵層與該N型氮化鎵基板形成一PIN二極管，其中，該肖特基二極管與該P(yáng)IN二極管并聯(lián)。

5.一種接面能障肖特基二極管制造方法，其特征在于，包含：

提供一N型氮化鎵基板，具有一上表面；

形成一氮化鋁鎵阻障層于該上表面上；

形成一P型氮化鎵層于該N型氮化鎵基板上；

形成一陰極導(dǎo)電層于該上表面上，并與該N型氮化鎵基板間，形成一歐姆接觸；以及

形成一陽極導(dǎo)電層于該氮化鋁鎵阻障層上，且部分該陽極導(dǎo)電層與該氮化鋁鎵阻障層，形成肖特基接觸，且該陰極導(dǎo)電層與該陽極導(dǎo)電層不直接連接。

6.如權(quán)利要求5所述的接面能障肖特基二極管制造方法，其中，該P(yáng)型氮化鎵層與該N型氮化鎵基板由該氮化鋁鎵阻障層隔開。

7.如權(quán)利要求6所述的接面能障肖特基二極管制造方法，其中，該陽極導(dǎo)電層、該氮化鋁鎵阻障層、該N型氮化鎵基板與該陰極導(dǎo)電層形成一肖特基二極管，且該P(yáng)型氮化鎵層、該氮化鋁鎵阻障層與該N型氮化鎵基板形成一PIN二極管，其中，該肖特基二極管與該P(yáng)IN二極管并聯(lián)。

8.如權(quán)利要求5所述的接面能障肖特基二極管制造方法，其中，該陽極導(dǎo)電層、該氮化鋁鎵阻障層、該N型氮化鎵基板與該陰極導(dǎo)電層形成一肖特基二極管，且該P(yáng)型氮化鎵層與該N型氮化鎵基板形成一PIN二極管，其中，該肖特基二極管與該P(yáng)IN二極管并聯(lián)。