[發明專利]功率半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201310311327.6
• 申請日: 2013-07-23
• 公開（公告）號: CN104347693A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發明（設計）人: 鄭玉寧;張楓
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/772
• 分類號: H01L29/772;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/28
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種功率半導體器件，其特征在于，包括：

半導體襯底；

所述半導體襯底的表面的設定區域上設有第一絕緣介質層；

所述第一絕緣介質層表面上部分區域和所述半導體襯底的表面上靠近所述設定區域的部分區域的表面上設有第二絕緣介質層，所述半導體襯底表面上的第二絕緣介質層與所述第一絕緣介質層表面上的所述第二絕緣介質層連通；

所述第二絕緣介質層上設有柵極導電層；

在所述半導體襯底中，所述第一絕緣介質層兩側與所述第二絕緣介質層部分區域對應的位置設有體區；

所述體區中靠近所述柵極導電層邊緣設有源極區。

2.根據權利要求1所述的功率半導體器件，其特征在于，所述第一絕緣介質層表面除設定的中心區域以外的區域和所述半導體襯底的表面靠近所述設定區域的部分區域的表面上設有第二絕緣介質層。

3.根據權利要求2所述的功率半導體器件，其特征在于，所述第二絕緣介質層以所述第一絕緣介質層的中心點為中心對稱。

4.根據權利要求1-3任一項所述的功率半導體器件，其特征在于，所述第一絕緣介質層的厚度大于或等于0.5微米。

5.根據權利要求1-3任一項所述的功率半導體器件，其特征在于，所述第一絕緣介質層為采用濕法氧化生成的場氧化層；和/或，

所述第二絕緣介質層為干法氧化生成的氧化層。

6.一種功率半導體器件制造方法，其特征在于，包括：

在半導體襯底的表面生成第一絕緣介質層；

對所述第一絕緣介質層進行刻蝕，以在所述半導體襯底的表面的設定區域內保留所述第一絕緣介質層；

在所述第一絕緣介質層表面上和所述半導體襯底的表面除所述設定區域外的其他區域表面上生成第二絕緣介質層；

在所述第二絕緣介質層上生成柵極導電層；

對所述第二絕緣介質層和所述柵極導電層進行刻蝕，以在所述第一絕緣介質層上部分區域和所述半導體襯底的表面上靠近所述設定區域的部分區域對應的位置上保留所述第二絕緣介質層和所述柵極導電層，所述半導體襯底表面上的所述柵極導電層與所述第一絕緣介質層表面上的所述柵極導電層連通；

在所述半導體襯底表面，所述第一絕緣介質層兩側與所述第二絕緣介質層部分區域對應的位置注入第一雜質形成體區；

在所述體區表面靠近所述柵極導電層邊緣注入第二雜質形成源極區。

7.根據權利要求6所述的功率半導體器件制造方法，其特征在于，所述對所述第二絕緣介質層和所述柵極導電層進行刻蝕，包括：

對所述第二絕緣介質層和所述柵極導電層，與所述第一絕緣介質層表面設定的中心區域和所述半導體襯底的表面遠離所述設定區域的部分區域對應的位置對應的所述第二絕緣介質層和所述柵極導電層進行刻蝕。

8.根據權利要求7所述的功率半導體器件制造方法，其特征在于，對所述半導體襯底的表面遠離所述設定區域的部分區域對應的位置對應的所述第二絕緣介質層和所述柵極導電層進行刻蝕，包括：

對所述半導體襯底的表面遠離所述設定區域的部分區域對應的位置對應的所述第二絕緣介質層和所述柵極導電層，以所述第一絕緣介質層的中心點為中心對稱刻蝕。

9.根據權利要求6-8任一項所述的功率半導體器件制造方法，其特征在于，所述在半導體襯底的表面生成第一絕緣介質層，包括：

采用濕法氧化工藝在所述半導體襯底的表面生成作為所述第一絕緣介質層的場氧化層。

10.根據權利要求6-8任一項所述的功率半導體器件制造方法，其特征在于，所述在所述第一絕緣介質層表面上和所述半導體襯底的表面除所述設定區域外的其他區域表面上生成第二絕緣介質層，包括：

采用干法氧化工藝在所述第一絕緣介質層表面上和所述半導體襯底的表面除所述設定區域外的其他區域表面上生成作為所述第二絕緣介質層的氧化層。